[发明专利]一种自限温氧化物电热膜的制造方法有效
| 申请号: | 201110102380.6 | 申请日: | 2011-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN102291860A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
| 发明(设计)人: | 马秀芝;许子燕;曲令江 | 申请(专利权)人: | 马秀芝;许子燕;曲令江 |
| 主分类号: | H05B3/34 | 分类号: | H05B3/34;H05B3/12 |
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| 地址: | 100086 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化物 电热 制造 方法 | ||
技术领域
本发明属于一种以材料或材料性质为特征的欧姆电阻发热薄膜,特别涉及一种具有自限温性能的氧化物电热膜的制造方法。
背景技术
透明导电氧化物材料是半导体家族中的重要一员,因其具有良好的光电性和节能效果,应用前景更为重要而广泛。常用的透明导电氧化物膜主要包括:SnO2、In2O3、ZnO、Cd2InO4及其掺杂体系,他们的共同缺点是高温稳定性差,衰减快,寿命短,限制了使用范围。中国专利申请号:200710119631.5“具有自恒温透明高温电热膜管的生产方法”中提出以锡、锑、铜、镍的氯化物和乙醇按重量比8∶1∶1∶1∶10混合作镀膜液,采用喷涂热解法制膜,可得到“正温度系数具有自恒温性能且使用寿命长,稳定性好,安全可靠的电热膜。”与已有技术相比,该专利大大加大了掺杂剂Sb及其他添加剂的用量,想用提高正温度系数达到目的。但我们知道采用高价阳离子替位,能提高本征透明导电膜的电学性能,却不是越多越好。当掺杂量达到某一临界值时,电子浓度趋于一个饱和值,如继续提高掺杂水平,外来杂质在膜中与氧反应,生成不导电的第二相,致使电子迁移率急剧下降。在载流子浓度和迁移率的综合作用下,迁移率起主导作用,电阻率呈上升趋势,导电性随之下降。因此,要想保证电热膜的导电性与稳定性,必须综合考虑膜层的电阻率、载流子浓度和迁移率三者与掺杂物类及数量之间的辩证关系,优化组方,从源头给予保证。
发明内容
本发明的目的是根据上述技术所存在的问题,筛选优化组方,提供一种自限温氧化物电热膜的制造方法,从源头上保证电热膜的导电性与稳定性。
本发明的自限温氧化物电热膜的制造方法包括:配制成膜液,净化基材,基材上成膜,制作电极,通电老化,其具体工艺是:
(1)以四氯化锡为主料,三氯化锑为掺杂剂,二氯化铜和二氯化锰为高温抗老化剂,钛酸钡为高压阻值稳定剂,氢氟酸适量为掺杂助溶剂,无水乙醇为溶剂配制成膜液,
成膜液配方组分重量比如下:
四氯化锡(SnCl4·5H2O)——100g…….主料
三氯化锑(SbCl3)——-1.8g…….掺杂剂
二氯化铜(CuCl2·2H2O)——1.7g…….抗老化剂
二氯化锰(MnCl2·4H2O)——2.0g…….抗老化剂
钛酸钡(BaTiO3)——5.0g…….高压阻值稳定剂
氢氟酸(HF)——适量……掺杂助溶剂
无水乙醇(CH3CH2OH)——100g…….溶剂
配制方法:
第一步,按配方称取钛酸钡(BaTiO3),溶于氢氟酸(HF)中,成钛酸钡溶液,盖好,备用,
第二步,按配方称取其他各组分-四氯化锡(SnCl4·5H2O),三氯化锑(SbCl3),二氯化铜(CuCl2·2H2O),二氯化锰(MnCl2·4H2O),溶于无水乙醇(CH3CH2OH)中,搅拌下慢慢加入第一步的钛酸钡溶液,充分搅拌均匀,置0-8℃的冷柜中备成膜用。
(2)净化基材
把玻璃、陶瓷类硬质耐温绝缘基材,竖立于超声波清洗机中,用自来水冲洗干净,擦去水汽,置于120-150℃下烘箱中烘干,盖好,备用。对云母板、矿棉纸类轻柔的耐温绝缘基材,用脱脂棉擦去灰尘油污。(必要时沾点酒精擦)
(3)成膜
把净化干燥好的耐温绝缘基材装上工夹具,送入600-650℃的生成炉中,用经过净化除去油水杂质的压缩空气(压力为0.2-0.4MPa),把成膜液雾化喷入生成炉,高温下空气中的氧和水汽与成膜液各组分发生一系列化学反应,生成的氧化物导电晶粒嵌入基材表面晶格中,积淀成膜,使原本绝缘的基材表面形成一层稳定性、导电性均良好的功能性薄膜,
同理:
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