[发明专利]纯MOS结构高精度电流基准源及其产生方法

权利要求书

1.一种高精度电流基准源产生方法，包括以下步骤：

(1)正温度系数电流与负温度系数电流汇合；

(2)对汇合形成的电流经过镜像输出，该镜像输出分为两个支路，其中一个支路即作为高精度电流基准源的输出，同时另一个支路的电流作为自偏置电压产生电路的输入参考电流；

(3)所述自偏置电压产生电路输出偏置电压，该偏置电压通过压控恒流源反馈控制正温度系数电流，使得正温度系数电流与负温度系数电流汇合形成零温度系数电流。

2.根据权利要求1所述的高精度电流基准源产生方法，其特征在于：步骤(1)所述正温度系数电流与负温度系数电流均是利用耗尽型MOS管阈值电压为负的特性形成。

3.根据权利要求2所述的高精度电流基准源产生方法，其特征在于：所述负温度系数电流是采用耗尽型MOS管栅极直接接地，源极经电阻接地的方式形成，其漏极电流的镜像电流与正温度系数电流汇合；所述正温度系数电流是采用耗尽型MOS管栅源短接的方式形成。

4.根据权利要求2所述的高精度电流基准源产生方法，其特征在于：步骤(3)所述压控恒流源为P型MOS管，该P型MOS管与形成正温度系数电流的耗尽型MOS管串联；所述偏置电压通过调节该P型MOS管的栅极电压从而控制该P型MOS管的漏极电流即实现反馈控制正温度系数电流。

5.纯MOS结构高精度电流基准源，包括正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路、零温度系数电流镜像电路和为这三个电路提供电源的直流电压源，零温度系数电流镜像电路的镜像电流引入端即所述正温度系数电流产生电路和负温度系数电流产生电路输出的正、负温度系数电流的汇合节点，零温度系数电流镜像电路的镜像电流输出即高精度电流基准源的输出；

其特征在于：所述正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路的温度系数电流产生元件分别为第一耗尽型MOS管、第二耗尽型MOS管；所述正温度系数电流产生电路还包括自偏置电压产生电路以及由其控制的压控恒流源，所述压控恒流源的输出作为第一耗尽型MOS管的给定输入，所述自偏置电压产生电路的输入参考电流取自零温度系数电流镜像电路。

6.根据权利要求5所述的高精度电流基准源，其特征在于：所述第一耗尽型MOS管采用栅源短接的结构，所述第二耗尽型MOS管栅极直接接地，源极经电阻接地；所述负温度系数电流产生电路采用P型MOS管共源共栅结构做电流镜像得到的第二耗尽型MOS管的漏极镜像电流与所述第一耗尽型MOS管的源极电流汇合。

7.根据权利要求6所述的高精度电流基准源，其特征在于：所述压控恒流源是一个P型MOS管，该P型MOS管的源极接所述直流电压源，其栅极接所述自偏置电压产生电路的偏置电压输出端，其漏极接所述第一耗尽型MOS管的漏极。

8.根据权利要求7所述的高精度电流基准源，其特征在于：所述零温度系数电流镜像电路包括并联的多个镜像电流支路，其中一个镜像电流支路上设置有用以调节自偏置电压的分压电阻，该分压电阻的负端作为偏置电压输出端与作为压控恒流源的P型MOS管的栅极连接。