[发明专利]包含玻璃覆盖掩膜的玻璃pH电极

权利要求书

1.一种低斜率pH电极(100)，所述低斜率pH电极(100)包括：

电极体(102)；

pH敏感性玻璃(122)，所述pH敏感性玻璃(122)熔合至所述电极体(102)中，其中所述pH敏感性玻璃(122)具有预定面积；以及

掩膜(124)，所述掩膜(124)形成在所述pH敏感性玻璃(122)的所述预定面积的预定部分上，以便形成低斜率pH特性，其中通过所述掩膜(124)阻挡通过所述pH敏感性玻璃(122)进行的离子交换的至少一部分。

2.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，所述低斜率pH电极(100)还包括：

电极元件(108)，所述电极元件(108)安置在所述电极体(102)内；

pH缓冲溶液(105)，所述pH缓冲溶液(105)基本上充满所述电极体(102)；以及

密封物(113)，所述密封物(113)将所述电极体(102)基本上密封。

3.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)包含非氢离子响应性材料。

4.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)包含非水合氢离子响应性材料。

5.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)包含基本上无孔的材料。

6.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)包含最低限度地有孔的材料。

7.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)形成在所述pH敏感性玻璃(122)的外部表面上。

8.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)以预定厚度形成。

9.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)以预定图案形成。

10.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述掩膜(124)形成在所述pH敏感性玻璃(122)的外部表面或内部表面之一上或两者上。

11.权利要求1所述的低斜率pH电极(100)，其中所述低斜率pH电极包括非能斯特pH电极。

12.一种形成低斜率pH电极的方法，所述方法包括：

形成包含传感器开口的电极体；

将预定面积的pH敏感性玻璃熔合至所述传感器开口中；以及

遮掩所述预定面积的预定部分以便形成低斜率pH特性，其中阻挡通过所述pH敏感性玻璃进行的离子交换的至少一部分。

13.权利要求12所述的方法，所述方法还包括：

将电极元件安置在所述电极体内；

用pH缓冲溶液基本上充满所述电极体；以及

将所述电极体基本上密封。

14.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜包含非氢离子响应性材料。

15.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜包含非水合氢离子响应性材料。

16.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜包含基本上无孔的材料。

17.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜包含最低限度地有孔的材料。

18.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜形成在所述pH敏感性玻璃的外部表面上。

19.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜以预定厚度形成。

20.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜以预定图案形成。

21.权利要求12所述的方法，其中所述掩膜形成在所述pH敏感性玻璃的外部表面或内部表面之一上或两者上。

22.权利要求12所述的方法，其中所述低斜率pH电极包括非能斯特pH电极。