[发明专利]III族氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体发光器件，其中，所述发光器件包含：

衬底；

提供在所述衬底上的多层结构半导体层，所述多层结构半导体层由顺次堆叠的多个半导体层构成，并具有由所述多个半导体层限定的侧面和顶面以及与所述衬底接触的底面；

由所述侧面限定的第一散射表面；和

由所述顶面与所述侧面的接触部分中形成的阶梯限定的第二散射表面。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述多层结构半导体层提供在所述衬底上并由如下的层构成：

具有第一导电性的第一氮化物半导体层；

提供在所述第一氮化物半导体层上并具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二氮化物半导体层；和

提供在所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间并通过电子和空穴的复合来产生光的有源层，

其中，所述第一散射表面和所述第二散射表面防止光被完全反射至所述多层结构半导体层的内部，而是通过所述侧面和顶面离开所述多层结构半导体层。

3.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述阶梯在所述多层结构半导体层的高度方向上具有0.3μm～0.4μm的深度。

4.如权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述阶梯具有的深度使得能够除去所述有源层。

5.如权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述多层结构半导体层还包含自所述顶面起以使所述第一氮化物半导体层能够露出的深度而形成的台面蚀刻结构体，由此能够在该台面蚀刻结构体上形成将与所述第一氮化物半导体层电连接的焊盘电极，所述台面蚀刻结构体在所述多层结构半导体层的高度方向上具有大于所述阶梯的深度。

6.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，至少部分所述多层结构半导体层具有倒截头棱锥的形状，并且将所述第一散射表面限定为所述倒截头棱锥的斜面。

7.如权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述多层结构半导体层具有在远离所述衬底的方向上增大的平面面积，并且至少部分所述衬底是露出的。

8.如权利要求7所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述发光器件包含第三散射表面，提供所述第三散射表面使得所述多层结构半导体层与所述侧面接触的底面外周的至少一部分与所述衬底隔开。

9.如权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述第三散射表面具有与所述第二散射表面不同的倾斜度。

10.如权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，将所述第三散射表面提供为曲面。

11.如权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述衬底还包括图案化凸起，并且将所述第三散射表面限定为所述多层结构半导体层与所述凸起隔开的底面。