[发明专利]薄膜沉积方法

权利要求书

1.通过火焰处理沉积在玻璃基材(1)上的至少一个薄膜进行的热处理方法，所述玻璃基材(1)在包含至少一个燃烧器(2)的至少一个火焰处理设备的路径中通行，所述处理能够提高所述至少一个薄膜的结晶度和/或提高所述至少一个薄膜中的微晶尺寸，所述方法的特征在于调节所述至少一个燃烧器(2)的位置和/或设置至少一个其它装置以使最大瞬时弯曲“b”低于150毫米并且遵从以下条件：

b ≤ 0.9 × d

其中弯曲“b”对应于以毫米表达的没有加热的基材平面(P₁)与最接近经过燃烧器(2)尖端(6)的平面(P₂)并且平行于没有加热的基材平面(P₁)的基材点之间的距离，

“d”对应于以毫米表达的没有加热的基材平面(P₁)与燃烧器(2)尖端(6)之间的距离，

与通行方向(5)垂直的方向上基材的宽度“L”大于或等于1.1m。

2.如前一权利要求所述的方法，使得最大瞬时弯曲“b”遵从以下条件：

b ≤ 500 ×                                                

其中“e”对应于以毫米表达的基材厚度，宽度“L”以米表达。

3.如前述权利要求之一所述的方法，其中使用数个线性火焰处理设备(7_a-7_i)，它们设置为使得基材(1)的整个宽度受到处理，而不是设置在相同线路中，各设备(7)的长度不超过1.2m。

4.如前一权利要求所述的方法，使得各火焰处理设备(7_a-7_i)的长度小于或等于基材(1)宽度的三分之一。

5.如前述权利要求之一所述的方法，其中至少一个火焰处理设备面向基材(1)的每一面(8_a，8_b)设置，以使火焰(4_a，4_b)与各面(8_a，8_b)的接触点(9_a，9_b)间隔最多30厘米。

6.如前述权利要求之一所述的方法，其中所述基材(1)在处于基材通行方向上的紧随火焰处理区域之后的区域中冷却。

7.如前述权利要求之一所述的方法，使得所述薄膜的各点达到至少300℃的温度，同时使与所述第一面相对的所述基材面任何点处的温度保持小于或等于150℃。

8.如前述权利要求之一所述的方法，使得所述基材(1)由钠钙硅玻璃制成。

9.如前述权利要求之一所述的方法，使得在与其上沉积所述薄膜的面相对的基材(1)面的任何点处将温度保持小于或等于100℃，尤其是50℃。

10.如前述权利要求之一所述的方法，使得所述薄膜的各点达到大于或等于300℃的温度并持续小于或等于1秒，或甚至0.5秒。

11.如前述权利要求之一所述的方法，使得获得的结晶度大于或等于20%，特别是50%。

12.如前述权利要求之一所述的方法，使得所述基材(1)的宽度“L”大于或等于2m。

13.如前述权利要求之一所述的方法，使得所述薄膜基于选自银，钼，铌，二氧化钛，铟锌或铟锡混合氧化物，铝掺杂的或镓掺杂的氧化锌，氮化钛、氮化铝或氮化锆，铌掺杂的二氧化钛，锡酸镉和/或锡酸锌，以及氟掺杂的和/或锑掺杂的氧化锡的金属、氧化物、氮化物或氧化物的混合物。

14.用于获得包含基材(1)和至少一个薄膜的材料的方法，其中将所述至少一个薄膜沉积在所述基材(1)上，然后使所述至少一个薄膜经历如前述权利要求之一所述的热处理方法。

15.如前一权利要求所述的方法，使得所述至少一个薄膜通过溅射沉积，尤其是磁性增强的溅射沉积。