[发明专利]一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法无效
| 申请号： | 201010572202.5 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102485974A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 吕铁铮;林洪峰;兰洵;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 cvd 反应 直接 生长 单晶硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法，其特征在于：它是通过以下步骤实施的：
(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-100微米的金属薄层；
(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内，腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度，使共晶层液化，形成液态共晶层；所述的共晶点温度低于1000℃；
(3)通入含硅原料气至腔体内，同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度，生成气相硅原子；
(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所得的液态共晶层吸收至过饱和后，在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的硅衬底选用晶向(111)、尺寸为6-8英寸的硅晶片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的金属薄层的厚度为1-10微米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的金属薄层为铝、金、锌或铜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述金属薄层为铝或锌。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的金属薄层是通过磁空溅射或热蒸发沉积得到。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含硅原料气是指硅烷、TCS或者其混合物。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述含硅原料气是指硅烷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司，未经天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010572202.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体基板及其制法
- 下一篇：一种可降低表面光反射的玻璃灯罩
