[发明专利]光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，其中：

除了从光刻掩模基板主表面上的外部外围端部表面向内2mm的 区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或更少，光刻掩模基板 主表面被掩模台吸附，光刻掩模基板的尺寸为152mm方形，

平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域， 用于形成掩模图案，以及

在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的 主表面的表面形状做测量，以在主表面上除了从外部外围端部表面向 内15mm的区域之外的内部矩形区域的角的高度为参考，在主表面上 除了从外部外围端部表面向内10mm的区域之外的外部矩形区域的角 的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，该对角线方向通过主表面 的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分的两个至高点。

2.如权利要求1所述的光刻掩模基板，其中：

曝光系统的掩模台包括吸附部件，用于通过吸力粘附所述光刻掩 模基板的主表面，

吸附部件包括：

在与主表面平行的方向线性延伸的三个支持部分，三个支持部分 的至少一个支持部分被用于支持主表面；以及

形成在三个支持部分之间的两个吸附端口。

3.一种光刻掩模，其中：

具有掩模图案的薄膜形成在依照权利要求1的光刻掩模基板的主 表面上。

4.如权利要求3所述的光刻掩模，其中：

光刻掩模适用于65nm半导体装置的图样尺寸。

5.一种曝光掩模，其中：

通过依照权利要求3所述的形成有图案的薄膜，将掩模图案形成 在光刻掩模基板的主表面上。

6.一种半导体装置的制造方法，包括；

在曝光系统的掩模台上设置依照权利要求5所述的曝光掩模；以 及

照射曝光光线到曝光掩模上，以转印掩模图案到半导体晶片上形 成图案。

7.一种光刻掩模基板的制造方法，该光刻掩模基板被曝光系统的 掩模台吸附，包括：

对基板抛光；

测量形成该基板的主表面的部分的平面测量区域的平整度，该基 板被掩模台吸附，该基板的尺寸为152mm方形，该平面测量区域包 括作为矩形区域用于形成掩模图案的图案区域，不包括基板的外部外 围端部表面；以及

选择平面测量区域的平整度属于0.6μm或者更小的范围的基板， 在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的主表 面的表面形状做测量，以在主表面上除了从外部外围端部表面向内 15mm的区域之外的内部矩形区域的角的高度为参考，在主表面上除 了从外部外围端部表面向内10mm的区域之外的外部矩形区域的角的 高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，该对角线方向通过主表面的 中心且连接光刻掩模基板的四个角部分两个角点。

8.如权利要求7所述的光刻掩模基板的制造方法，其中：

曝光系统的掩模台包括吸附部件，用于通过吸力粘附所述光刻掩 模基板的主表面，

吸附部件包括：

在与主表面平行的方向线性延伸的三个支持部分，三个支持部分 的至少一个支持部分被用于支持主表面；以及

形成在三个支持部分之间的两个吸附端口。

9.一种光刻掩模，其中：

具有掩模图案的薄膜形成在依照权利要求7的制造方法的光刻掩 模基板的主表面上。

10.如权利要求9所述的光刻掩模，其中：

光刻掩模适用于65nm半导体装置的图样尺寸。

11.一种曝光掩模，其中：

通过依照权利要求9所述的形成有图案的薄膜，将掩模图案形成 在光刻掩模基板的主表面上。