[发明专利]基于AFM的纳米级电极加工方法

权利要求书

1.一种基于AFM的纳米级电极加工方法，其特征在于：控制AFM探针施加的力及运动路径对单根微米电极进行切割操作，加工出具有纳米间隙的一对儿微米电极；接下来利用同样的方法继续对两段微米电极前端分别进行特定路径的切割加工，最终形成前端具有三角形状、宽度小于100纳米的纳米级电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)确定切割深度与PSD信号关系：所述方法为：对二氧化硅基底在几个不同的PSD电压值(由小到大)分别加工出具有一定深度的纳米沟道，对加工出的纳米沟道扫描成像，测出对应不同PSD信号的深度值，拟合出电压和深度的关系曲线图，进而通过关系曲线确定对应期望深度的电压值；

2)纳米沟道的加工：根据要加工的二氧化硅上的纳米沟道的深度，由拟合出电压和深度的关系曲线图确定要施加的PSD电压值，并使用该值设置恒力模式下悬臂梁偏转要求的PSD电压值进行纳米沟道的加工，探针经过金微米电极处电极被切割成一对儿金微米电极；

3)纳米电极加工路径规划：在切割好的金电极上规划路径，使加工出的电极成三角形。

4)纳米电极的加工：将PSD值设置为略小于步骤1中的PSD值，在规划好路径的电极上恒力接触模式下进行切割，将掉多余部分和纳米电极电分离，即可加工出具有小于100纳米尖端的三角形电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤3)中的规划路径为三角形、梯形和交叉型的一种或几种。