[发明专利]一种混合型氧化物薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种混合型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管采用有机介质层与无机沟道层的混合结构，由聚甲基丙烯酸甲酯有机介质层、铟锌氧化物无机沟道层、栅电极、源电极和漏电极组成。

2.根据权利要求1所述的混合型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述的聚甲基丙烯酸甲酯其分子式为[CH₂C(CH₃)(CO₂CH₃)]_n，结构式为：

3.根据权利要求1所述的混合型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述的有机介质层与无机沟道层的可见光区平均透射率大于80％。

4.权利要求1所述的混合型氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1)采用玻璃为基板；

2)用铟锌合金或铟锌氧化物靶材，在室温条件下利用磁控溅射技术，制备铟锌氧化物半导体薄膜作为沟道层；

3)用有机物聚甲基丙烯酸甲酯，溶于丙酮，通过浸渍提拉法制备有机介质层；

4)通过真空蒸发法制备栅电极、源电极和漏电极。

5.按权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤1)的基板温度为0～50℃。

6.按权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中，铟锌合金靶或铟锌氧化物靶中In和Zn的原子比在0.5～2.0范围内变化。

7.按权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中，通过可变气导阀将O₂和Ar气体通入反应室，控制O₂反应气体的分压为4.5～5.8×10^-2Pa，工作压强为1.0～3.0×10^-1Pa；磁控溅射电流为100～180mA，溅射电压为300～400V，溅射时间为5～15分钟。

8.按权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤3)中，将沉积有沟道层的样品匀速浸入聚甲基丙烯酸甲酯有机溶液，静置0.5～1.0min，匀速提拉起后，在大气退火炉中烘烤10～30min或将样品浸入所述有机溶液再提拉1～3次，每次提拉后烘烤5～20min，最后一次提拉后烘烤20～50min；所述烘烤温度低于100℃。

9.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述制备方法中，整体流程工艺温度为80100℃。

10.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所属步骤4)中，采用金属铝制备电极。