[发明专利]成膜方法和成膜装置无效
| 申请号： | 200980114151.7 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102016106A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 小林洋介;林信博;饭岛正行;多田勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/12;C23C14/58;G02B5/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.成膜方法，其具有：
一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序；
在前述反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序；和
一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序。
2.权利要求1所述的成膜方法，其中，在前述亲水化处理工序中导入的前述处理气体是空气。
3.权利要求1或2的任一项所述的成膜方法，其中，在前述蒸镀膜形成工序中导入的前述处理气体是空气。
4.权利要求1所述的成膜方法，其中，前述成膜对象物是构成反射镜的立体性构件。
5.成膜装置，其具有：
能够容纳成膜对象物的真空处理槽；
连接于前述真空处理槽、且导入含有氧的处理气体的处理气体导入部；
连接于前述真空处理槽、且导入拒水性聚合物膜形成用单体的单体导入部；
设置在前述真空处理槽内的蒸发源；和
设置在前述真空处理槽内的等离子体发生源。
6.权利要求5所述的成膜装置，其中，前述处理气体导入部构成为导入前述真空处理槽近傍的空气。
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