[发明专利]用于显示设备的阵列基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200910261521.1 | 申请日: | 2009-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN101750825A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
| 发明(设计)人: | 文教浩;安炳龙;崔熙敬;金哲泰;洪星旭;郑胜宇;赵容秀 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 显示 设备 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于显示设备的阵列基板,该阵列基板包括:形成在基板上 的选通线和栅极,所述栅极连接到所述选通线;形成在包括所述栅极的 所述基板上的栅绝缘层,其中所述栅绝缘层夹在有源层和所述栅极之间; 数据线以及连接到所述数据线的源极和漏极;
其特征在于:
所述阵列基板还包括:障碍金属层,所述有源层和所述障碍金属层 堆叠在所述栅极上,所述数据线形成在所述障碍金属层上;钝化膜,其 形成在所述源极和漏极以及所述数据线上,并具有露出所述漏极的一部 分、所述障碍金属层的一部分、以及所述有源层的一部分的接触孔;以 及像素电极,其形成在所述钝化膜上,并与所述障碍金属层的侧面、所 述漏极和所述有源层接触,
其中所述选通线、所述数据线以及所述源极和漏极由铜形成,
其中所述障碍金属层由钼合金制成,该钼合金使用从由钛(Ti)、钽 (Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、铟(In)、以及铝(Al)组成的组中选择的一 种。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述像素电极由基于ITO 的透明材料制成,该基于ITO的透明材料使用从由ITO、AZO、ZnO、IZO 和钼钛(MoTi)合金组成的组中选择的一种。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中在所述漏极和所述像素电 极之间形成铜氧化物。
4.一种制造用于显示设备的阵列基板的方法,该方法包括以下步骤:
在基板上形成选通线和连接到所述选通线的栅极;
在包括所述栅极的所述基板上形成栅绝缘层;
在所述栅极上形成有源层,其中所述栅绝缘层夹在所述栅极和所述 有源层之间;
其特征在于,该方法还包括以下步骤:
在所述有源层上形成障碍金属层、数据线、以及连接到所述数据线 的源极和漏极;
在所述源极和漏极以及所述数据线上形成钝化膜;
选择性地蚀刻所述钝化膜的一部分和所述漏极的一部分以形成露出 所述漏极的一部分和包括所述有源层的所述障碍金属层的接触孔;以及
在所述钝化膜上形成像素电极,该像素电极通过所述接触孔与露出 的所述障碍金属层的侧面、所述漏极、以及所述有源层接触,
其中所述选通线、所述数据线以及所述源极和漏极由铜形成,
其中所述障碍金属层由钼合金制成,该钼合金使用从由钛(Ti)、钽 (Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、铟(In)、以及铝(Al)组成的组中选择的一 种。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述像素电极由基于ITO的透 明材料制成,该基于ITO的透明材料使用从由ITO、AZO、ZnO、IZO和 钼钛(MoTi)合金组成的组中选择的一种。
6.根据权利要求4所述的方法,其中在所述像素电极和所述漏极之 间形成铜氧化物。
7.根据权利要求4所述的方法,其中选择性地蚀刻所述钝化膜的一 部分和所述漏极的一部分以形成露出所述漏极的一部分和所述障碍金属 层的一部分的接触孔的步骤通过使用衍射掩模的光刻工序来进行。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述衍射掩模包括半色调掩模 和狭缝掩模。
9.根据权利要求8所述的方法,其中通过使用所述半色调掩模来 形成所述接触孔的步骤包括以下步骤:
通过使用所述半色调掩模的曝光和蚀刻工序对涂敷在所述钝化膜上 的光敏膜进行构图,以形成光敏膜图案,所述光敏膜图案的与对应于所 述漏极的一部分的区域对应的光敏膜部分已被完全去除,并且所述光敏 膜在对应于半色调区的区域的部分厚度已被去除;
通过使用所述光敏膜图案作为掩模顺序地去除所述钝化膜的一部分、 所述漏极的一部分以及所述障碍金属层的一部分,以形成露出所述漏极的 一部分、所述障碍金属层的一部分和所述有源层的一部分的第一接触孔;
对所述光敏膜图案进行灰化直至与所述半色调区对应的区域的所述 光敏膜部分被去除;以及
通过使用灰化的光敏膜图案作为掩模来蚀刻所述钝化膜,以形成露 出所述漏极的上表面并且包括所述第一接触孔的第二接触孔。
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