[发明专利]用于缓存器文档的单端读取模块

权利要求书

1.一种用于缓存器文档的读取模块，包含：

本地I/O模块，其连接到一存储单元，用以输出储存在该 存储单元的一值；

共用位线驱动电路，其具有：一输入端，所述输入端连 接到所述本地I/O模块；以及一输出端，所述输出端连接到一 共用位线，当选择所述本地I/O模块时用以根据一本地预先充 电信号预先充电所述共用位线至一预定电压，以及当所述本地 预先充电信号没有致动时，输出储存于该存储单元的所述值至 所述共用位线；以及

预先充电模块，其连接到所述共用位线。

2.根据权利要求1所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述共用位线驱动电路包含第一PMOS晶体管、第二PMOS晶 体管及第一NMOS晶体管，串联于内部电源与地端或VSS之 间。

3.根据权利要求2所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述第一NMOS晶体管具有：连接到地端的一源极、连接到所 述共用位线的一漏极、以及连接到所述本地I/O模块的一栅 极。

4.根据权利要求2所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述第一PMOS晶体管具有：连接到所述第二PMOS晶体管的 漏极的一源极，连接到所述第一NMOS晶体管的漏极的一漏 极、以及由一选择信号所控制的一栅极。

5.根据权利要求4所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，当 选用所述本地I/O模块为读取操作时，所述选择信号以低位准 接通所述第一PMOS晶体管。

6.根据权利要求2所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述第二PMOS晶体管具有：连接到一电源端的一源极、连接 到所述第一PMOS晶体管的一源极的一漏极、以及连接到所 述第一NMOS晶体管的栅极的一栅极。

7.根据权利要求6所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述I/O模块包含一NAND闸，所述NAND闸具有连接到所述 第二PMOS晶体管的栅极以及所述第一NMOS晶体管的栅极 的一输出端。

8.根据权利要求7所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述NAND闸包含连接到第一本地位线的第一输入端、以及连 接到第二本地位线的第二输入端。

9.根据权利要求8所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述I/O模块包含第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管 具有：连接到一电源端的一源极、连接到所述第一本地位线的 一漏极、以及由所述本地预先充电信号所控制的一栅极。

10.根据权利要求9所述的用于缓存器文档的读取模块，其中，所 述I/O模块包含第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管 具有：连接到一电源端的一源极、连接到所述第二本地位线的 一漏极、以及由所述本地预先充电信号所控制的一栅极。

11.根据权利要求10所述的用于缓存器文档的读取模块，其中， 所述本地预先充电信号以低位准接通所述第三以及第四 PMOS晶体管以给所述NAND闸的第一输入端及第二输入端 提供高位准信号。

12.根据权利要求11所述的用于缓存器文档的读取模块，其中， 所述本地I/O模块包含第五PMOS晶体管，所述第五PMOS 晶体管具有：连接到所述电源端的一源极、连接到所述第一本 地位线的一漏极、以及连接到所述NAND闸的输出端的一栅 极。

13.根据权利要求12所述的用于缓存器文档的读取模块，其中， 所述本地I/O模块包含第六PMOS晶体管，所述第六PMOS 晶体管具有：连接到所述电源端的一源极、连接到所述第二本 地位线的一漏极、以及连接到所述第五PMOS晶体管的栅极 的一栅极。

14.根据权利要求1所述的用于缓存器文档的读取模块，包含第七 PMOS晶体管，所述第七PMOS晶体管具有：连接到所述电 源端的一源极、连接到所述共用位线的一漏极、以及由一共用 预先充电控制信号所控制的一栅极。