[发明专利]晶片堆叠、集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号: | 200880127081.4 | 申请日: | 2008-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN101971341A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
| 发明(设计)人: | M·罗西;H·鲁德曼 | 申请(专利权)人: | 赫普塔冈有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李娜;蒋骏 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 堆叠 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
1.在一种用于通过凭借在包括另外的功能元件(9c)的至少一个另外的晶片(4)上至少堆叠承载作为功能元件的多个透镜(9a、9b)的顶部晶片(2)来产生晶片堆叠(8)、并将该晶片堆叠(8)分离成多个集成光学器件(10)而制造集成光学器件(10)的方法中,其中,所述顶部晶片和另外的晶片(2、4)的相应功能元件相互对准并限定多个主光轴(14),每个轴对应于一个集成光学器件(10),
一种用于提供遮光板作为集成光学器件(10)的一部分的方法,包括步骤
·提供包括多个通孔(6)的遮光板(1),所述通孔(6)被布置为对应于顶部晶片(2)上的功能元件的布置;
·将遮光板(1)堆叠在顶部晶片(2)上,通孔(6)与所述主光轴(14)对准。
2.权利要求1的方法,包括在将晶片堆叠(8)分离成单独的光学器件(10)之前在遮光板(1)上堆叠透明盖板(5)的另一步骤。
3.一种用于制造集成光学器件(10)的晶片堆叠(8),晶片堆叠(8)包括承载作为功能元件的多个透镜(9a、9b)的至少顶部晶片(2),包括另外的功能元件(9c)的至少一个另外的晶片(4),顶部晶片(2)被堆叠在该另外的晶片上,其中,顶部晶片和另外的晶片(2、4)的相应功能元件相互对准并限定多个主光轴(14),
其中,晶片堆叠(8)还包括包含多个通孔(6)的遮光板(1),遮光板(1)被堆叠在顶部晶片(2)上,通孔(6)用所述主光轴(14)布置。
4.权利要求3的晶片堆叠(8),还包括堆叠在遮光板(1)上的透明盖板(5)。
5.权利要求3或权利要求4的晶片堆叠(8),其中,通孔(6)的侧面(7)相对于遮光板(1)的法线逐渐缩减并具有在20~40°、优选地25~35°之间的角。
6.权利要求3至5之一的晶片堆叠(8),其中,遮光板(1)的厚度在0.1至1毫米的范围内。
7.权利要求3至6之一的晶片堆叠(8),其中,遮光板(1)由光学不透明材料制成。
8.一种集成光学器件(10),其是通过将所述晶片堆叠(8)分离成多个集成光学器件(10)由根据权利要求3至7中的一项的晶片堆叠制造的。
9.一种用于集成光学器件(10)的遮光板(1),供在权利要求1至2中的一项的方法中使用,其中,遮光板(1)包括多个通孔(6)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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