[发明专利]感光性胶粘剂、半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200880117162.6 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101868852A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 增子崇;川守崇司;满仓一行;加藤木茂树 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G03F7/004;G03F7/037 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感光性 胶粘剂 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其中，
具备：
第一工序，其在具有第一连接部的第一粘附体上设置感光性胶粘剂；
第二工序，其通过曝光及显影使所述感光性胶粘剂形成图案，以形成所述第一连接部露出的开口；
第三工序，其向所述开口填充导电材料来形成导电层；
第四工序，其将具有第二连接部的第二粘附体直接胶粘于所述感光性胶粘剂，并且借助所述导电层将所述第一连接部与所述第二连接部进行电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第一粘附体或所述第二粘附体的一方是包含多个半导体芯片的半导体晶片，另一方是基板，
在所述第三工序与所述第四工序之间，或者所述第四工序之后，还包括将所述半导体晶片按所述半导体芯片进行切割的工序。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述感光性胶粘剂含有碱可溶性聚合物、辐射聚合性化合物和光聚合引发剂。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述碱可溶性聚合物具有羧基或酚性羟基。
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述碱可溶性聚合物的玻璃化转变温度为150℃以下。
6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述碱可溶性聚合物是聚酰亚胺。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述聚酰亚胺是使四羧酸二酐与二胺反应得到的聚酰亚胺，所述二胺至少包含1种下述化学式(I-a)、(I-b)、(II-a)、(II-b)及(II-c)分别所示的芳香族二胺，
8.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述感光性胶粘剂还含有热固性树脂。
9.一种膜状的感光性胶粘剂，其用于权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法。
10.一种半导体装置，其是通过权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法得到的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
