[发明专利]太阳能电池单体无效
| 申请号: | 200880116075.9 | 申请日: | 2008-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN101861656A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
| 发明(设计)人: | 冈庭香 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 单体 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池单体。
背景技术
以往的硅晶体类的太阳能电池单体,如图3的示意图(截面图)所示,形成如下结构:作为晶体硅基板,由n层102、p层103和来自铝层105的铝原子扩散而形成的P+层104构成;在晶体硅基板的受光面上,为了抑制照射进来的光反射而设置有防反射膜101,进而设置有作为外部提取用导线的正面极耳线201和用于向外部提取电力的单体电极106,所述正面极耳线201和单体电极106用软钎料310连接;晶体硅基板的反受光面上设置有铝层105、背面银电极107和背面极耳线202。在太阳能电池单体的反受光面上,为了抑制反受光面侧产生的电因电阻引起的损耗而降低,因而在很宽的范围内设置有铝层105。由于通常用作背面极耳线202的铜和铝层105难以电连接,因此配置背面银电极107用于对铝层105发出的电进行集电。但是,就背面银电极而言,为了确保密合性,设置无铝部分,在这部分形成背面银电极202。对于该背面银电极107和背面极耳线202的连接,使用软钎料310。
出于不使薄型化的硅晶片破损的目的,并且为了减小接触端线的热膨胀率,提出了在芯导体上具备有包覆导体的极耳线的方案(例如,参照日本特开2004-204256号公报)。在与极耳线的连接部分,镀银部分成为必要的结构。
另一方面,提出了减少昂贵材料的使用、简化了制造工艺的轻量太阳能电池单元或轻量太阳能电池组件的方案(例如,参照日本特开2005-101519号公报)。
发明内容
在日本特开2004-204256号公报中,作为热膨胀小、并且耐腐蚀性优异的极耳线,在背面电极中必须使用银。
在日本特开2005-101519号公报所记载的太阳能电池单体的结构中,使用具有各向异性导电性的膜状粘接剂来代替软钎料,但背面电极中必须使用银。
就上述的以往的太阳能电池单体而言,如图3所示,由于在背面银电极107附近没有铝层,因而不形成P+层104,作为发电元件来说是不利的状态,因此,在发电效率方面也是不利的。
另外,在以往的方法中,在背面极耳线202和背面银电极107的连接中,使用软钎料310,需要260℃左右的热。此时,由于晶体硅基板和作为极耳线材料的铜的热膨胀率不同,因此电池单体发生翘曲,容易破裂,导致成品率降低。
进而,在晶体硅基板的反受光面,必须使用昂贵的银作为电极材料。
本发明的目的是减少这样的问题,提供一种能够提高发电效率,并且降低部件成本的太阳能电池单体。
为了解决上述问题,本发明人等进行了深入研究后,结果发现:通过使用树脂系的导电性糊或导电性膜来连接背面电极和背面极耳线,可以消除无P+层的部分,并且可以消除软钎料引起的电池单体的翘曲、破裂,从而解决上述问题。
即,本发明如下。
本发明的太阳能电池的特征在于,具有:晶体硅基板、形成于该晶体硅基板的受光面上的外部电力提取用单体电极、连接于该单体电极的正面极耳线、形成于所述晶体硅基板的反受光面上的背面电极和连接于该背面电极的背面极耳线,所述背面电极和背面极耳线通过树脂系的导电糊或导电膜来连接,所述背面电极均一地形成在所述晶体硅基板的反受光面上。
就本发明的太阳能电池而言,优选地,所述正面极耳线和所述单体电极也通过树脂系的导电糊或导电膜来连接。
通过消除元件结构的浪费,从而可以提供能够提高发电效率、并且降低部件成本的太阳能电池单体。
附图说明
图1是本发明的太阳能电池单体和极耳线的结构图(截面)。
图2是本发明的太阳能电池单体和极耳线的结构图(截面)。
图3是以往的太阳能电池单体和极耳线的结构图(截面)。
具体实施方式
本发明的太阳能电池单体是使用了晶体硅基板的太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成工业株式会社,未经日立化成工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880116075.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





