[发明专利]采用共模电压调节的可调谐LC振荡器

权利要求书

1.一种可调频振荡器，包括：

电源(I)；

储能电路(T)，耦合至可变电源，所述储能电路包括：

电感；以及

第一可变电容电路(VC1)，包括MOS开关，被控制用于改变可调频振荡器的频率；

交叉耦合的晶体管对(M，M’)，耦合至储能电路；

共模电压调节电路(R)，耦合至交叉耦合的晶体管对以及基准电压；以及

控制电路(CTL)，用于当频率改变时调节共模电压以减小MOS开关的状态改变，从而减小相位噪声。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，调节共模电压以减小在一个振荡周期中输出信号的偏移期间MOS开关在反型状态与耗尽状态之间的转变。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，交叉耦合的晶体管对包括限定第一电流路径的第一MOS晶体管和限定第二电流路径的第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极耦合至基准电压，第一MOS晶体管的栅极耦合至第二MOS晶体管的漏极，第二MOS晶体管的栅极耦合至第一MOS晶体管的漏极。

4.根据权利要求3所述的设备，其中，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管都是NMOS晶体管。

5.根据权利要求3所述的设备，其中，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管都是PMOS晶体管。

6.根据权利要求3所述的设备，其中，所述电源是稳流源。

7.根据权利要求3所述的设备，其中，第一可变电容电路包括至少一对MOS晶体管，该对MOS晶体管中两个晶体管的漏极和源极都耦合至控制节点，该对MOS晶体管中一个晶体管的栅极耦合至第一电流路径，该对MOS晶体管中另一个晶体管的栅极耦合至第二电流路径。

8.根据权利要求7所述的设备，包括：缓冲器电路，接收数字控制信号并响应于所述数字控制信号来驱动控制节点以控制第一可变电容电路的电容。

9.根据权利要求7所述的设备，其中，第一可变电容电路包括多对MOS晶体管，每一对MOS晶体管中的两个晶体管的漏极和源极都耦合至多个控制节点中的相应控制节点，每一对MOS晶体管中一个晶体管的栅极耦合至第一电流路径，所述每一对MOS晶体管中另一晶体管的栅极耦合至第二电流路径。

10.根据权利要求7所述的设备，包括多个缓冲器电路，每个缓冲器电路接收数字控制信号并响应于所述数字控制信号来驱动相应的一个控制节点以控制第一可变电容电路的电容。

11.根据权利要求10所述的设备，其中，第一可变电容电路被布置为实现可调频振荡器的粗略频率控制。

12.根据权利要求3所述的设备，包括第二可变电容电路，所述第二可变电容电路包括至少一对MOS晶体管，该对MOS晶体管中两个晶体管的漏极和源极耦合至控制节点，该对MOS晶体管中一个晶体管的栅极耦合至第一电流路径，该对MOS晶体管中另一晶体管的栅极耦合至第二电流路径。

13.根据权利要求12所述的设备，包括：缓冲器电路，接收数字控制信号并响应于所述数字控制信号来驱动控制节点以控制第二可变电容电路的电容。

14.根据权利要求12所述的设备，其中，第二可变电容电路包括多对MOS晶体管，每一对MOS晶体管中的两个晶体管的漏极和源极耦合至多个控制节点中相应的控制节点，每一对MOS晶体管中一个晶体管的栅极耦合至第一电流路径，所述每一对MOS晶体管中另一晶体管的栅极耦合至第二电流路径。

15.根据权利要求14所述的设备，包括多个缓冲器电路，每一个缓冲器电路接收数字控制信号并响应于所述数字控制信号来驱动相应的一个控制节点以控制第二可变电容电路的电容。

16.根据权利要求15所述的设备，其中，第二可变电容电路被布置为实现可调频振荡器的精细频率控制。

17.根据权利要求3所述的设备，包括第二可变电容电路，所述第二可变电容电路包括至少一对变容二极管，该对变容二极管中两个变容二极管的阴极耦合至控制节点，该对变容二极管中一个变容二极管的阳极耦合至第一电流路径，该对变容二极管中另一变容二极管的阳极耦合至第二电流路径。