[发明专利]半导体器件、双镶嵌结构的制作方法

权利要求书

1.一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上依次形成第一覆盖层、 第一层间绝缘层、第二覆盖层，所述第一覆盖层用于防止金属布线层扩散到 后续形成的层间绝缘，所述第二覆盖层作用为在刻蚀过程中作为刻蚀停止层， 所述第一层间绝缘层的材料为未掺杂的硅玻璃；

刻蚀第二覆盖层、第一层间绝缘层至露出第一覆盖层，形成接触孔；

在接触孔内填充满底部抗反射层；

在第二覆盖层和底部抗反射层上依次形成第二层间绝缘层；

刻蚀第二层间绝缘层至露出第二覆盖层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接 触孔的位置对应并连通；

去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀第一覆盖层至露出金属布线层，形 成双镶嵌结构。

2.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，所述第二层 间绝缘层的材料为低温氧化硅，所述低温为温度200℃～500℃。

3.根据权利要求2所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，所述第二层 间绝缘层的厚度为15000埃～18000埃。

4.根据权利要求3所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，形成第二层 间绝缘层的方法为化学气相沉积法。

5.根据权利要求4所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，刻蚀第二层 间绝缘层，形成沟槽的方法为干法刻蚀法。

6.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，所述第一层 间绝缘层的厚度为15000埃～18000埃。

7.根据权利要求6所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，形成第一层 间绝缘层的方法为化学气相沉积法。

8.根据权利要求7所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，刻蚀第二覆 盖层、第一层间绝缘层，形成接触孔的方法为干法刻蚀法。

9.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，所述第一覆 盖层和第二覆盖层的材料为氮化硅或氮氧化硅或氮碳氧化硅。

10.根据权利要求9所述的双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，所述第一覆 盖层和第二覆盖层的厚度为350埃～500埃。

11.一种半导体器件，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的金属布线层， 位于金属布线层上的第一覆盖层，所述第一覆盖层用于防止金属布线层扩 散到后续形成的层间绝缘，位于第一覆盖层上的材料为未掺杂的硅玻璃的 第一层间绝缘层，位于第一层间绝缘层上的第二覆盖层，所述第二覆盖层 作用为在刻蚀过程中作为刻蚀停止层，接触孔贯穿第二覆盖层和第一层间 绝缘层至露出第一覆盖层，底部抗反射层填充满接触孔，其特征在于，所 述第二覆盖层和底部抗反射层上形成有第二层间绝缘层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第二层间绝缘层的 材料为低温氧化硅，所述低温为温度200℃～500℃。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第二层间绝缘层的 厚度为15000埃～18000埃。