[发明专利]III族氮化物半导体制造系统

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体制造系统，包括：

具有开口的反应容器；

坩埚，其放置在所述反应容器的内部并容纳有包括至少III族金属 和碱金属的熔体；

保持单元，其支撑所述坩埚并具有通过所述开口从所述反应容器内 部延伸至所述反应容器外部的转轴；

转轴盖，其覆盖所述转轴位于所述反应容器外部的部分并在所述开 口处连接至所述反应容器，并且所述反应容器的内部和外部通过所述转 轴盖而分隔；

转动驱动单元，其位于所述反应容器的外部并调节所述转轴；

供给管，其连接至所述转轴盖并将包括至少氮的气体供给到所述转 轴和所述转轴盖之间的间隙中；

其中所述气体和所述熔体反应以生长III族氮化物半导体晶体。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述转 轴具有第一磁体并且所述转动驱动单元具有第二磁体，从而通过所述第 一和第二磁体之间的磁耦合来转动和移动所述转轴。

3.一种III族氮化物半导体制造系统，包括：

具有开口的反应容器；

坩埚，其放置在所述反应容器的内部并容纳有包括至少III族金属 和碱金属的熔体；

保持单元，其支撑晶种并具有通过所述开口从所述反应容器内部延 伸至所述反应容器外部的转轴；

转轴盖，其覆盖所述转轴位于所述反应容器外部的部分并在所述开 口处连接至所述反应容器，并且所述反应容器的内部和外部通过所述转 轴盖而分隔；

转动驱动单元，其位于所述反应容器的外部并调节所述转轴；

供给管，其连接至所述转轴盖并将包括至少氮的气体供给到所述转 轴和所述转轴盖之间的间隙中；

其中所述气体、所述晶种和所述熔体反应以生长III族氮化物半导 体晶体。

4.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述转 轴具有第一磁体并且所述转动驱动单元具有第二磁体，从而通过所述第 一和第二磁体之间的磁耦合来转动和移动所述转轴。

5.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述反 应容器具有包括内容器和外容器的双重结构。

6.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述内 容器具有所述开口。

7.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述外 容器具有所述开口。

8.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述内 容器和所述外容器共有所述开口。

9.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体制造系统，其中通过包 含氮的气体对所述外容器的内部空间加压。

10.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体制造系统，还包括：

安装在所述外容器内部和所述内容器外部的加热器。

11.根据权利要求7所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述转 轴盖连接至所述外容器的所述开口。

12.根据权利要求8所述的III族氮化物半导体制造系统，其中所述转 轴盖连接至所述外容器的壁处的所述开口。