[发明专利]一种电压均衡开关驱动电路无效

专利信息
申请号: 200810154717.6 申请日: 2008-12-30
公开(公告)号: CN101562345A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 吕英杰;戴宇杰;张小兴;王玉军 申请(专利权)人: 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H01M10/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457天津市开*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 电压 均衡 开关 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种电压均衡开关驱动电路,其特征在于它包括缓冲器、高耐压PMOS晶体管、由电阻R构成的V-I转换电路、电流镜像电路、控制开关电路及均衡开关电路;其中,缓冲器的一个输入端接收基准电压Vref,另一个输入端连接高耐压PMOS晶体管的漏极同时经V-I转换电路的电阻R接地;所说的高耐压PMOS晶体管的源极连接电源电压,其阱连接电流镜像电路;所说的电流镜像电路的电源端连接电源电压,其输出端连接控制开关电路;所说的控制开关电路的输出端连接均衡开关电路;所说的均衡开关电路的两个输出端有电压差。

2.根据权利要求1所说的一种电压均衡开关驱动电路,其特征在于所说的均衡开关电路由电阻RO和低耐压NMOS晶体管构成,所说的电阻RO并联于低耐压NMOS晶体管的栅极和源极两端;所说的低耐压NMOS晶体管的源极和漏极之间的电压差确定所使用NMOS晶体管开关的耐压类型。

3.根据权利要求1或2所说的一种电压均衡开关驱动电路,其特征在于所说的电压均衡开关驱动电路中有一组由电阻RO和低耐压NMOS晶体管构成的均衡开关电路;所说的缓冲器的一个输入端接收基准电压Vref;所说的电流镜像电路镜像由V-I转换电路产生基准电流I并输出镜像电流nI到电阻RO,产生驱动电压驱动低耐压NMOS晶体管开关。

4.根据权利要求1或2所说的一种电压均衡开关驱动电路,其特征在于所说的电压均衡开关驱动电路中有串连的两组以上由电阻RO和低耐压NMOS晶体管构成的均衡开关电路,每组均衡开关电路的电阻RO连接控制开关电路的其中一路输出;所说的缓冲器的一个输入端接收基准电压Vref;所说的电流镜像电路镜像由V-I转换电路产生基准电流I并经控制开关电路输出两路以上镜像电流nI,每一路镜像电流nI输入到与其相对应的一组均衡开关电路的电阻RO,产生驱动电压驱动低耐压NMOS晶体管开关。

5.根据权利要求1所说的一种电压均衡开关驱动电路,其特征在于所说的电流镜像电路由至少一个PMOS晶体管构成。

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