[发明专利]一种顶发光OLED显示器件及其制备方法有效
| 申请号: | 200810113672.8 | 申请日: | 2008-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN101345292A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
| 发明(设计)人: | 邱勇;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发光 oled 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括基板、阳极层和阴极层,以及形成在两个电极之间的 有机层,该有机层中包括至少一个发光层,其特征在于,所述阴极层中包括电荷注入 层、电荷传导层和透射层三部分结构,所述电荷注入层的厚度为0.5nm至50nm,电荷 传导层的厚度为10nm至50nm,透射层的厚度数值在四分之一发射光的峰值波长除以 透射层材料的折射率后分别加减10nm的范围内。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层中电荷注入层 的材料选自至少一种碱金属、碱金属化合物,电荷传导层材料的材料选自金属银、氧 化铟锡、氧化铟锌,透射层的材料选自折射率大于1.2小于2.5的有机材料或无机材 料。
3.根据权利要求书2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层中的透射层 的材料优选自Alq3、氟化镁、一氧化硅、二氧化硅、氟化钙、硒化锌、硫化锌、氧化 锌、氧化铟锡、氧化铟锌。
4.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述基板的材料选自玻 璃、塑料、金属薄片或硅片。
5.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极层材料选自氧 化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、银、金或铝。
6.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,在阳极层上还包括由金 属形成的全反射层,所述金属材料选自银、金或铝。
7.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括空穴传 输层和电子传输层。
8.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括空穴注 入层,所述空穴注入层的材料选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯撑、 CuPc、MTDATA、Ag2O、碳氟化合物。
9.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括电子注 入层,所述电子注入层材料选自镁、钙、锂、铯,或选自镁、钙、锂及铯的化合物。
10.根据权利要求书1或9所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括 电子注入层,所述电子注入层为掺杂结构,在有机材料中掺杂镁、钙、锂或铯中的至 少一种金属,或在有机材料中掺杂至少一种镁、钙、锂或铯的化合物,所述有机材料 选自Alq3、Bphen。
11.一种制备权利要求1所述的有机电致发光器件的方法,其特征在于,采用真空蒸 镀的方法制备阴极层结构,首先在真空蒸镀条件下通过直接分解金属及其化合物材料 的化合物制成阴极层中的电荷注入层,然后再继续依次蒸镀阴极层中的电荷传导层材 料和透射层材料。
12.根据权利要求书11所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,由氮化锂 在蒸镀速率为0.005至0.1nm/s,蒸镀温度为400至450℃的条件下分解制备出作为电 荷注入层材料的Li薄膜,膜厚为0.5nm至50nm。
13.根据权利要求书11所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,由硼氢化 钾在蒸镀速率为0.005至0.1nm/s,蒸镀温度为300至400℃的条件下分解得到制备出 作为电荷注入层材料的KH薄膜,膜厚为0.5nm至50nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





