[发明专利]一种顶发光OLED显示器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810113672.8 申请日: 2008-05-29
公开(公告)号: CN101345292A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 邱勇;刘嵩 申请(专利权)人: 清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 oled 显示 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件,包括基板、阳极层和阴极层,以及形成在两个电极之间的 有机层,该有机层中包括至少一个发光层,其特征在于,所述阴极层中包括电荷注入 层、电荷传导层和透射层三部分结构,所述电荷注入层的厚度为0.5nm至50nm,电荷 传导层的厚度为10nm至50nm,透射层的厚度数值在四分之一发射光的峰值波长除以 透射层材料的折射率后分别加减10nm的范围内。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层中电荷注入层 的材料选自至少一种碱金属、碱金属化合物,电荷传导层材料的材料选自金属银、氧 化铟锡、氧化铟锌,透射层的材料选自折射率大于1.2小于2.5的有机材料或无机材 料。

3.根据权利要求书2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层中的透射层 的材料优选自Alq3、氟化镁、一氧化硅、二氧化硅、氟化钙、硒化锌、硫化锌、氧化 锌、氧化铟锡、氧化铟锌。

4.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述基板的材料选自玻 璃、塑料、金属薄片或硅片。

5.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极层材料选自氧 化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、银、金或铝。

6.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,在阳极层上还包括由金 属形成的全反射层,所述金属材料选自银、金或铝。

7.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括空穴传 输层和电子传输层。

8.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括空穴注 入层,所述空穴注入层的材料选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯撑、 CuPc、MTDATA、Ag2O、碳氟化合物。

9.根据权利要求书1所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括电子注 入层,所述电子注入层材料选自镁、钙、锂、铯,或选自镁、钙、锂及铯的化合物。

10.根据权利要求书1或9所述的有机电致发光器件,其特征在于,有机层中还包括 电子注入层,所述电子注入层为掺杂结构,在有机材料中掺杂镁、钙、锂或铯中的至 少一种金属,或在有机材料中掺杂至少一种镁、钙、锂或铯的化合物,所述有机材料 选自Alq3、Bphen。

11.一种制备权利要求1所述的有机电致发光器件的方法,其特征在于,采用真空蒸 镀的方法制备阴极层结构,首先在真空蒸镀条件下通过直接分解金属及其化合物材料 的化合物制成阴极层中的电荷注入层,然后再继续依次蒸镀阴极层中的电荷传导层材 料和透射层材料。

12.根据权利要求书11所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,由氮化锂 在蒸镀速率为0.005至0.1nm/s,蒸镀温度为400至450℃的条件下分解制备出作为电 荷注入层材料的Li薄膜,膜厚为0.5nm至50nm。

13.根据权利要求书11所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,由硼氢化 钾在蒸镀速率为0.005至0.1nm/s,蒸镀温度为300至400℃的条件下分解得到制备出 作为电荷注入层材料的KH薄膜,膜厚为0.5nm至50nm。

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