[发明专利]非水电解质二次电池以及非水电解质二次电池的制造方法无效
| 申请号: | 200810087491.2 | 申请日: | 2008-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN101276940A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
| 发明(设计)人: | 村冈芳幸;和田直之;西野肇;笠松真治 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01M10/40 | 分类号: | H01M10/40;H01M2/34;H01C7/02;H01M10/38 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 水电 二次 电池 以及 制造 方法 | ||
1.一种非水电解质二次电池,其包括:
正极,其具有导电性正极集流体、和保持在所述正极集流体上并含有锂复合氧化物的正极合剂层;
负极,其具有导电性负极集流体、和保持在所述负极集流体上并含有能够以电化学的方式嵌入和脱嵌锂离子的负极活性物质的负极合剂层;
非水电解质,其保持在所述正极与所述负极之间;
多孔绝缘层,其设置在所述正极合剂层与所述负极合剂层之间,并包含没有关闭特性的材料;以及
PTC层,其设置在所述正极和所述负极中的至少一个电极上,与所述正极集流体以及所述负极集流体中的至少一个集流体实质上平行地延伸,包含电阻的温度系数为正的材料。
2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述PTC层设置在所述正极合剂层与所述正极集流体间、以及所述负极合剂层与所述负极集流体间之中的至少一个上。
3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:
所述正极合剂层设置在所述正极集流体的表面上;
所述负极合剂层设置在所述负极集流体的表面上;
所述PTC层设置在所述正极合剂层以及所述负极合剂层中的至少一个合剂层内。
4.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:
所述没有关闭特性的材料是:一方面在低于130℃时没有关闭特性而另一方面在130℃以上时具有关闭特性的材料、以及即使在130℃以上也没有关闭特性的材料之中的至少一种材料;
所述电阻的温度系数为正的材料在80℃~130℃的温度范围内的电阻值为室温下的电阻值的100倍以上。
5.根据权利要求4所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述电阻的温度系数为正的材料是BaTiMO2,其中,M是Cr、Pb、Ca、Sr、Ce、La、Mn、Y、Nb以及Nd中的一种以上的元素。
6.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:
所述没有关闭特性的材料是:一方面在低于130℃时没有关闭特性而另一方面在130℃以上时具有关闭特性的材料、以及即使在130℃以上也没有关闭特性的材料之中的至少一种材料;
所述PTC层是含有导电剂、和熔点温度为80℃~130℃的高分子材料的聚合物PTC。
7.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述没有关闭特性的材料是金属化合物。
8.根据权利要求7所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述多孔绝缘层具有:包含所述金属化合物的金属化合物层、以及设置在所述正极合剂层和所述负极合剂层中的至少一个合剂层与所述金属化合物层之间的介入层。
9.根据权利要求7所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述金属化合物是氧化镁、二氧化硅、氧化铝以及氧化锆之中的至少一种金属氧化物。
10.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述没有关闭特性的材料是耐热性高分子。
11.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述多孔绝缘层粘着在所述正极合剂层以及所述负极合剂层中的至少一个合剂层上。
12.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其特征在于:所述电阻的温度系数为正的材料分散存在于所述PTC层内。
13.一种非水电解质二次电池的制造方法,其包括:
工序a,将含有电阻的温度系数为正的材料的PTC层材料设置在集流体的表面上;
工序b,将含有与所述集流体同极的活性物质的合剂层材料设置在所述PTC层材料上;以及
工序c,将包含没有关闭特性的材料的多孔绝缘层材料设置在所述合剂层材料上。
14.一种非水电解质二次电池的制造方法,其包括:
工序d,将含有与所述集流体同极的活性物质的合剂层材料设置在集流体的表面上;
工序e,在所述工序d之后,将含有电阻的温度系数为正的材料的PTC层材料设置在所述合剂层材料上;
工序f,将所述合剂层材料设置在所述PTC层材料上;以及
工序g,在所述工序f之后,将包含没有关闭特性的材料的多孔绝缘层材料设置在所述合剂层材料上。
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