[发明专利]一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器

权利要求书

1.一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于设有衬底，在衬底上设有下层金属薄膜，在下层金属薄膜上设有介质层，在介质层中间镶嵌着金属光栅层，在介质层上又设有上层金属薄膜，金属光栅层设有若干阵列单元，在不同的阵列单元内金属光栅的周期不同。

2.如权利要求1所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于衬底为透明介质衬底或半导体衬底。

3.如权利要求2所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于半导体衬底为已经制作了光电子器件的半导体芯片。

4.如权利要求1所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于下层金属薄膜、金属光栅和上层金属薄膜的金属材料为良导体，良导体选自金、银、铜或铝。

5.如权利要求1所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于上层金属薄膜和下层金属薄膜的厚度为5～100nm。

6.如权利要求1或5所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于上层金属薄膜和下层金属薄膜之间的间距为20～1000nm。

7.如权利要求1所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于金属光栅层的厚度为5～1000nm。

8.如权利要求1或7所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于金属光栅层的金属光栅的周期为10～10000nm，金属光栅内开口部分的宽度为5～10000nm。

9.如权利要求1所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于介质层为二氧化硅介质层、氮化硅介质层或氧化铝介质层；介质层的厚度为20～1000nm。

10.如权利要求1或7所述的一种阵列式微谐振腔可调集成光学滤波器，其特征在于金属光栅层中的金属光栅为一维金属光栅或二维金属光栅。