[发明专利]复相离子-电子混合导体粉体材料及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 200810032387.3 申请日: 2008-01-08
公开(公告)号: CN101219889A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 李淼;甄强;张旭;丁超;丁伟中 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/32;C04B35/622;H01B1/06;H01M4/52
代理公司: 上海上大专利事务所 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 离子 电子 混合 导体 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种复相离子-电子混合导体粉体材料,其特征在于该混合导体粉体材料第一相为BaCoxFeyNbzO3-δ,即BCFN,x、y、z代表摩尔分数,其中0≤x≤0.9,0≤y≤0.6,0≤z≤0.3,而且0.95≤x+y+z≤1.1;第二相为掺杂物ZrO2、Al2O3或SnO2,其中掺杂物相对于BCFN的质量分数不大于20%。

2.一种根据权利要求1所述的复相离子-电子混合导体粉体材料的制备方法,其特征在于该方法的具体步骤为:

a.BaCoxFeyNbzO3-δ粉体的制备:按上述的BCFN的化学计量比来称取各所需原料,原料为金属Ba、Co、Fe、Nb的氧化物、碳酸盐、草酸盐或硝酸盐;把所述的原料用乙醇或水做分散剂球磨混合,混合均匀并干燥后在1000℃-1150℃焙烧10-20小时,再经球磨干燥后即得到BCFN粉体;

b.根据上述的比例,把步骤a所得BCFN粉体和掺杂物ZrO2、Al2O3或SnO2采用干粉过筛混合;或球磨混合1-2小时;得到复相混合导体粉体材料。

3.一种复相离子-电子混合导体膜片,采用根据权利要求1所述的复相离子-电子混合导体粉体材料为原料,经烧结工艺制备得到,其特征在于所述的烧结工艺为:将上述的复相离子-电子混合导体粉体材料压制成型为素坯,以2℃/min-5℃/min的升温速度,升温至1100℃-1175℃烧结5-20小时,其中在400℃和900℃分别保温2小时,即得到复相离子-电子混合导体膜片。

4.一种复相离子-电子混合导体膜管,以根据权利要求1所述的复相离子-电子混合导体粉体材料为原料制备得到,其特征在于所述的制备方法的具体步骤为:

a.在上述的复相离子-电子混合导体粉体材料中加入石蜡、油酸,在80℃-100℃搅拌均匀,然后真空抽滤,得到浆料,再将浆料冲铸到模腔内,即具得到管状素坯;其中石蜡的加入量为复相离子-电子混合导体粉体材料质量10%-13%,油酸加入量为复相混合导体材料质量的0.5%~1%;

b.再以高温预烧过的氧化铝或者氧化镁为吸附粉体,将管状素坯以10℃/h的升温速率升温至300℃,保温4小时;再以15℃/h的升温速度升温至300℃-500℃;再以60℃/h的升温所速度升温至,500℃-900℃;

c.对经步骤b所得的管状素坯经过二次烧结过程,具体为:1℃/min-5℃/min升温到1000℃-1175℃保温5-20小时,即得到复相离子-电子混合导体膜管。

5.根据权利要求4所述的复相离子-电子混合导体膜管,其特征在于所述的管状素坯的长度为100mm,壁厚1mm,内径12.6mm。

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