[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器，包括:

介电层；

导体层，设置于该介电层上，该导体层可电性连接于一电压；

第一埋设扩散区及第二埋设扩散区，相互隔开地设置于该导体层的表面；以及

电荷存储结构，设置于该导体层上，并位于该第一埋设扩散区及该第二埋设扩散区之间。

2.如权利要求1所述的存储器，还包括导电栓塞，电性连接于该导体层，用以供该导体层电性连接于该电压。

3.如权利要求2所述的存储器，还包括阱，设置于该导体层的表面，用以供该导体层电性连接于该导电栓塞。

4.如权利要求1所述的存储器，其中该电荷存储结构包括电荷存储层，设置于该导体层与栅极之间。

5.如权利要求4所述的存储器，其中该电荷存储结构还包括隧穿介电层，邻接于该电荷存储层设置。

6.如权利要求5所述的存储器，其中该隧穿介电层包括第三介电层、第二介电层及第一介电层，该第一介电层设置于该导体层上，该第二介电层设置于该第一介电层上，该第三介电层设置于该第二介电层上。

7.如权利要求6所述的存储器，其中该第一介电层满足下列条件之一:厚度小于等于20埃；或者厚度范围位于5埃-20埃之间；或者厚度小于等于15埃。

8.如权利要求6所述的存储器，其中该第二介电层满足下列条件之一:厚度小于等于20埃；或者厚度范围位于10埃-20埃之间。

9.如权利要求6所述的存储器，其中该第三介电层满足下列条件之一:厚度小于等于35埃；或者厚度范围位于15埃-35埃之间；或者厚度小于等于25埃。

10.如权利要求5所述的存储器，其中该隧穿介电层为氧化物-氮化物-氧化物层，或者氧化物-硅-氧化物层，或者氧化物层。

11.如权利要求4所述的存储器，其中该电荷存储层为氮化硅层或氧化铝层。

12.如权利要求4所述的存储器，其中该电荷存储结构还包括阻挡层，设置于该栅极与该电荷存储层之间，该阻挡层为氧化铝层或氧化硅层。

13.如权利要求4所述的存储器，其中该栅极的材料为氮化钽或多晶硅。

14.如权利要求4所述的存储器，还包括:

第二介电层，覆盖该栅极、该电荷存储结构及该导体层；

第二导体层，设置于该第二介电层上，该第二导体层可电性连接于第二电压；

第三埋设扩散区及第四埋设扩散区，相互隔开地设置于该第二导体层的表面；

第二电荷存储结构，设置于该第二导体层上，并位于该第三埋设扩散区及该第四埋设扩散区之间。

15.如权利要求1所述的存储器，还包括控制元件及硅基板，该控制元件设置于该硅基板及该介电层之间。

16.如权利要求15所述的存储器，其中该控制元件包括互补式金属氧化物半导体元件或X/Y编码器。

17.一种存储器的制造方法，包括:

提供介电层；

形成导体层于该介电层上；

形成栅极及电荷存储结构；

定义该导体层，以形成第一埋设扩散区及第二埋设扩散区；

形成第一绝缘材料层于该第一埋设扩散区及该第二埋设扩散区上；

形成第二绝缘材料层于该第一埋设扩散区及该第二埋设扩散区上；

形成字线于该第二绝缘材料层及该栅极上，以电性连接于该栅极；

形成阱于该导体层的表面；以及

形成导电栓塞，以电性连接于该阱，使该导体层可电性连接于至少一电压。

18.如权利要求17所述的存储器的制造方法，其中在形成该导体层的步骤后，包括:

形成电荷存储材料层于该导体层上；

依序形成栅极材料层及图案化绝缘层于该电荷存储材料层上；以及

依序去除部分的该栅极材料层及该电荷存储材料层，以分别形成该栅极及该电荷存储结构。

19.如权利要求17所述的存储器的制造方法，其中提供该介电层的步骤包括:

提供硅基板；

形成控制元件于该硅基板上；以及

形成该介电层于该硅基板上，以覆盖该控制元件。