[发明专利]非易失性存储装置及其擦除方法

权利要求书

1.一种非易失性NAND闪速半导体存储装置，其配置以分别在擦除操作之前和之后，执行预编程操作和编程后操作至少之一，每个该预编程操作和编程后操作包括提供编程电压至定义该存储装置的字线块的多个字线的子集。

2.权利要求1的存储装置，其中在每一该预编程操作和编程后操作中的至少一个中，提供通过电压至字线块的剩余字线。

3.权利要求1的存储装置，其中配置该存储装置在正常编程操作过程中执行局部升压方案。

4.权利要求1的存储装置，其中配置该存储装置在每一该预编程操作和编程后操作中的至少一个中执行局部升压方案。

5.权利要求1的存储装置，其中定义该字线块的字线包括第一至第n字线，其中n是正整数，并且其中以从该第一字线到该第n字线的顺序，顺序执行正常编程操作。

6.权利要求3的存储装置，其中该确定字线块的字线包括第一至n^th字线，其中n是正整数，并且其中在该正常编程操作中，从该第一字线到该第n^th字线进行编程。

7.权利要求5的存储装置，其中该字线子集包括至少第(n-1)字线。

8.权利要求5的存储装置，其中每个字线子集包括在第(n/2)至第n字线之中。

9.权利要求1的存储装置，其中在该预编程和编程后操作的至少一个中，提供相同编程电压至每个字线子集。

10.权利要求1的存储装置，其中在该预编程和编程后操作的至少一个中，提供不同编程电压至字线子集。

11.权利要求2的存储装置，其中在该预编程和编程后操作的至少一个中，提供相同通过电压至每个剩余字线。

12.权利要求2的存储装置，其中在该预编程和编程后操作的至少一个中，提供不同通过电压至该剩余字线。

13.权利要求1的存储装置，其中在该字线块之内，相继顺序地安排该字线子集。

14.权利要求1的存储装置，其中在该字线块之内，非顺序地安排该字线子集。

15.一种存储装置，包括：

存储单元阵列，包括多个非易失性存储串，每个非易失性存储串包括n个非易失存储单元，其中n是整数；

n个字线与每个非易失性存储串的各自的n个非易失性存储单元相交；

解码器，配置为响应地址提供电压至该字线；

擦除控制器，提供电压至解码器以分别在擦除操作之前和之后，至少执行预编程操作和编程后操作中的一个，每个预编程和编程后操作包括提供编程电压至定义存储装置的字线块的多个字线的子集。

16.一种电子系统，包括操作地耦合到非易失性存储装置的微处理器，其配置为分别在擦除操作之前和之后，至少执行预编程操作和编程后操作中的一个，每个预编程和编程后操作包括提供编程电压至定义存储装置的字线块的多个字线的子集。

17.权利要求16的电子装置，其中电子装置是便携式电子装置。

18.权利要求16的电子装置，其中该非易失性存储器包括在闪存卡中。

19.一种操作NAND型闪存装置的方法，包括在擦除操作之前和之后执行预编程操作和编程后操作中的至少一个的期间，提供编程电压至字线块的字线的子集。

20.权利要求19的方法，其中在该预编程操作和编程后操作的期间，将通过电压提供至该字线块的剩余字线。

21.权利要求19的方法，进一步包括在正常编程操作期间执行局部升压方案。

22.权利要求21的存储装置，其中定义该字线块的字线的包括第一至第n字线，其中n是正整数，并且其中以从该第一字线到该第n字线的顺序，顺序执行正常编程操作。

23.权利要求22的存储装置，其中该字线子集包括至少第(n-1)字线。

24.权利要求22的存储装置，其中每个字线子集包括在第(n/2)至第n字线中。

25.权利要求19的存储装置，其中在该预编程和编程后操作中，提供相同编程电压至每个字线子集。