[发明专利]显示面板及其驱动方法有效
| 申请号: | 200710148540.4 | 申请日: | 2007-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101140743A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
| 发明(设计)人: | 都熙旭;罗炳善;柳承厚;安顺一;文铉喆;刘惠兰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王冉;陶凤波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示面板。更特别地,本发明涉及一种可具有增强的亮度和改善的侧视性(side viewing visibility)的显示面板。
背景技术
为了提高液晶显示器(LCD)的视角,图案化垂直配向(PVA)模式LCD,多畴垂直配向(MVA)模式LCD和超级图案化垂直配向(S-PVA)模式LCD已得到研究和发展,所有这些都具有宽视角。
S-PVA模式LCD可根据其驱动方法分为耦合电容器(CC)型或双晶体管(TT)型。CC型LCD包括主像素电极、次像素电极、以及形成在主和次像素电极之间的耦合电容器,从而降低施加于次像素电极的电压且将所述降低的电压施加于次像素电极作为次像素电压,其低于施加到主像素电极的电压。因而,在CC型驱动方法的情况下,次像素电压的水平在高灰度下被降低,由此恶化了S-PVA模式LCD的亮度。
TT型驱动方法采用在不同时间导通的两个晶体管将具有不同电压水平的主和次像素电压分别施加到主和次像素电极。然而,为了在不同时间驱动两个晶体管,TT型驱动方法要求的驱动频率是CC型驱动方法中采用的驱动频率的两倍,因而增加了功耗。
发明内容
本发明提供一种显示面板,其可具有增强的亮度和改善的侧视性。
本发明的附加特征将在后面的描述中阐述,且部分地将通过该描述而明显,或者可以通过实践本发明来领会。
本发明公开一种包括多个像素的显示面板。每个像素包括栅极线、数据线、主存储电极、次存储电极、主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。在1H周期期间,栅极线接收保持在栅极导通(gate-on)电压的栅脉冲。数据线与栅极线绝缘且相交叉,从而接收数据电压。主存储电极接收随栅脉冲和数据电压极性变化的第一公共电压,次存储电极接收保持在恒定电压水平的第二公共电压。主像素电极电容耦合到主存储电极,次像素电极电容耦合到次存储电极。第一薄膜晶体管连接到栅极线、数据线和主像素电极,第二薄膜晶体管连接到栅极线、数据线和次像素电极。主像素电极在1H周期期间接收来自第一薄膜晶体管的数据电压,然后其电压响应于第一公共电压的变化而改变为不同于数据电压的主像素电压。次像素电极在1H周期期间接收来自第二薄膜晶体管的数据电压,然后其电压保持为次像素电压直到它接收来自第二薄膜晶体管的下一个数据电压。
本发明还公开一种包括多个像素的显示基板。每个像素包括栅极线、数据线、主存储电极、主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。栅极线接收在1H周期期间保持在栅极导通电压的栅脉冲。数据线与栅极线绝缘且相交叉,从而接收数据电压。主存储电极接收随栅脉冲和数据电压极性变化的公共电压。主像素电极电容耦合到主存储电极。主像素电极在1H周期期间接收来自第一薄膜晶体管的数据电压,然后其电压响应于公共电压的变化而改变为不同于数据电压的主像素电压。次像素电极在1H周期期间接收来自第二薄膜晶体管的数据电压,然后其电压保持为次像素电压直到它接收来自第二薄膜晶体管的下一个数据电压。公共电压具有与两帧对应的周期且在低于预定参考电压的第一电压和高于该参考电压的第二电压之间振荡(swing)。
本发明还公开一种LCD面板的驱动方法,包括:在1H周期期间从第一薄膜晶体管施加数据电压到主像素电极;响应于第一公共电压的变化而将主像素电极的电压改变为不同于数据电压的主像素电压;在1H周期期间从第二薄膜晶体管施加数据电压到次像素电极;以及保持次像素电极的电压直到它接收来自第二薄膜晶体管的下一个数据电压。第一公共电压随栅脉冲和数据电压极性而变化。
将理解,前面的概括描述和后面的详细描述都是示范性的和解释性的,且旨在提供要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
提供了对本发明的进一步理解且被引入并构成说明文件的一部分的附图示出了本发明的实施例,且与说明书一起用于说明本发明的原理。
图1为根据本发明一示范性实施例的布置在显示面板上的像素中第(n,m)像素的等效电路图。
图2为显示施加到图1的等效电路图的各种信号的波形图。
图3为显示次像素电压和主像素电压之间的电压比的曲线图。
图4为图1的显示面板的布局图。
图5为沿图4的I-I′线取得的横截面图。
图6是示出与数据电压的极性相反的第一公共电压的极性以及主存储电极、次存储电极和像素之间的连接的视图。
图7A、图7B和图7C为示出图4的阵列基板的制造工艺的平面图。
图8为依照本发明另一示范性实施例的显示面板的布局图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710148540.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





