[发明专利]具有粗糙润湿和非润湿区的电子封装无效
| 申请号: | 200710136747.X | 申请日: | 2007-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN101114598A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
| 发明(设计)人: | N·查克拉帕尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/58;H01L23/13;H01L23/50;H01L23/29 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 粗糙 润湿 电子 封装 | ||
1.一种方法,包括:
形成半导体集成电路封装表面;
在所述表面上形成尺寸小于500纳米的突起;以及
将液体施加到所述封装表面。
2.根据权利要求1所述的方法,包括在所述表面上在两个不同 的区域中形成所述突起,使得一个区域是疏水性的,而另一个区域是 亲水性的。
3.根据权利要求2所述的方法,包括以封装基板的形式形成半 导体集成封装表面。
4.根据权利要求3所述的方法,包括形成基本上相似尺寸的所 述突起。
5.根据权利要求1所述的方法,包括通过轰击所述表面形成突 起。
6.根据权利要求5所述的方法,其中施加液体包括在所述基板 上方设置管芯,并且将底填材料注入在所述管芯和所述基板之间。
7.根据权利要求6所述的方法,包括在所述管芯周围使用疏水 性颗粒在所述基板上限定防止侵入区,并且在所述基板和所述管芯之 间设置亲水性颗粒区域。
8.根据权利要求1所述的方法,包括形成集成电路管芯的所述 表面并处理所述突起,以便所述突起在一个区域中是疏水性的,而在 另一个区域中是亲水性的。
9.根据权利要求8所述的方法,包括向所述表面提供管芯附着 物,使得所述疏水性突起减小所述管芯附着材料的渗出。
10.根据权利要求1所述的方法,包括利用硅烷涂覆所述突起。
11.一种集成电路封装,包括:
封装表面;
形成在所述表面上的突起,其具有小于500纳米的尺寸;以及
施加到所述突起上的液体。
12.根据权利要求11所述的封装,其中所述突起是疏水性的。
13.根据权利要求11所述的封装,其中所述突起是亲水性的。
14.根据权利要求11所述的封装,其中在这些突起中有一些是 亲水性的,并且所述颗粒中有一些是疏水性的。
15.根据权利要求11所述的封装,其中所述液体为底填物。
16.根据权利要求11所述的封装,其中所述液体为管芯附着物。
17.根据权利要求11所述的封装,其中所述表面为管芯表面。
18.根据权利要求11所述的封装,其中所述表面为封装基板表 面。
19.根据权利要求18所述的封装,其中亲水性突起形成在所述 基板上,管芯设置在所述基板上,在所述基板上所述疏水性突起形成 在所述管芯周围,所述基板在所述管芯下方的表面具有形成在其上的 亲水性的突起,并且焊球设置在所述管芯和所述基板之间。
20.根据权利要求11所述的封装,其中所述表面为管芯表面并 且管芯附着物附着到所述管芯表面,接触所述管芯附着物的区域是亲 水性的,而所述管芯附着物周围的区域是疏水性的。
21.根据权利要求11所述的封装,其中所述突起涂覆有硅烷。
22.一种集成电路封装,包括:
封装表面,在所述表面上具有尺寸小于500纳米的突起;以及
所述表面具有大于或等于70mN/m的表面能,或者具有小于或等 于20mN/m的表面能。
23.根据权利要求22所述的封装,其中所述表面包括亲水性区 域和疏水性区域。
24.根据权利要求22所述的封装,其中所述表面为管芯表面。
25.根据权利要求22所述的封装,其中所述表面为基板表面。
26.根据权利要求22所述的封装,其中所述表面部分覆盖有底 填物,设置管芯以将所述底填物夹在所述管芯和所述表面之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710136747.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





