[发明专利]具有双螺旋惠斯通电桥元件的流量传感器换能器无效

专利信息
申请号: 200710108867.9 申请日: 2007-06-05
公开(公告)号: CN101086456A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: W·T·基利安 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01F1/68 分类号: G01F1/68;G01F1/69
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;王小衡
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 双螺旋 斯通 电桥 元件 流量传感器 换能器
【权利要求书】:

1、一种系统,包括:

具有顶部的衬底;

在顶部上的空气桥,其中流体可以流过在空气桥和衬底顶部之间的沟道,以及其中流体具有流动方向;

在空气桥上的加热器;以及

包括两个上游温度传感器和两个下游温度传感器的多个温度传感器,其中两个上游加热元件在空气桥上并被定位在加热器的上游,其中两个下游加热元件在空气桥上并被定位在加热器的下游,以及其中加热元件中的至少一个具有双螺旋结构。

2、根据权利要求1所述的系统,其中衬底包括石英。

3、根据权利要求1所述的系统,其中衬底包括玻璃。

4、根据权利要求1所述的系统,其中所述两个上游温度传感器和所述两个下游温度传感器包括磁阻材料。

5、根据权利要求4所述的系统,其中磁阻材料是坡莫合金。

6、根据权利要求1所述的系统,其中惠斯通电桥包括所述两个上游温度传感器和所述两个下游温度传感器。

7、根据权利要求1所述的系统,还包括基准电阻器,其中所述基准电阻器包括与上游温度传感器和下游温度传感器相同的材料。

8、一种系统,包括:

包括体硅和在体硅上的氮化层的衬底;

穿过体硅并且在氮化层下面的沟道,其中氮化层形成空气桥,其中流体可以流过沟道,以及其中流体具有流动方向;

在空气桥上的加热器;以及

包括两个上游温度传感器和两个下游温度传感器的多个温度传感器,其中两个上游加热元件在空气桥上并被定位在加热器的上游,其中两个下游加热元件在空气桥上并被定位在加热器的下游,以及其中加热元件中的至少一个具有双螺旋结构。

9、一种方法,包括:

获得具有顶部的衬底;

在顶部上沉积介电层;

在衬底中和介电层下面形成沟道以形成空气桥,其中空气桥跨越该沟道,其中流体可以流过该沟道,以及其中流体具有流动方向;

在空气桥上形成加热器和多个温度传感器,其中所述多个温度传感器包括两个上游温度传感器和两个下游温度传感器,其中所述两个上游温度传感器被定位在加热器的上游,其中所述两个下游温度传感器被定位在加热器的下游,以及其中温度传感器中的至少一个具有双螺旋结构。

10、根据权利要求9所述的方法,其中衬底包括体硅,介电层是氮化层,其中沟道被形成在氮化硅层下面并穿过体硅,以及其中空气桥包括氮化物。

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