[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在由形成于半导 体基板的主面内的元件分离区域规定的、具有类似H状的顶面构造的 元件形成区域，形成具有源极和漏极区、沟道掺杂区域及栅极结构的 晶体管，上述制造方法具备以下工序：

(a)在半导体基板的主面上形成第1绝缘膜的工序；

(b)在上述第1绝缘膜上形成导电膜的工序；

(c)通过上述导电膜及上述第1绝缘膜向上述元件形成区域的整 个面离子注入第1导电型的杂质，形成沟道掺杂区域的工序；

(d)通过对上述导电膜进行构图，形成栅电极的工序；

(e)通过向从上述栅电极露出的部分的上述主面内导入杂质，形成 源极和漏极区的工序。

2.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还具 备：

(f)在上述工序(b)和上述工序(d)之间执行，通过上述导 电膜及上述第1绝缘膜向上述元件形成区域的整个面和比上述元件分 离区域的上述元件分离底面更深的区域离子注入第1导电型的杂质， 形成阱区的工序；以及

(g)在上述工序(b)和上述工序(d)之间执行，通过上述导 电膜及上述第1绝缘膜向上述元件形成区域的整个面和与上述元件分 离区域的上述元件分离底面所接触深度的区域离子注入第1导电型的 杂质，形成沟道切除区的工序。

3.权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序(c)、(f)以及(g)中，在以平面视图相同的区 域上注入离子。

4.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在由形成于半导 体基板的主面内的元件分离区域规定的、具有类似H状的顶面构造的 元件形成区域，形成具有源极和漏极区、沟道掺杂区域及栅极结构的 晶体管，上述制造方法的特征在于具备以下工序：

(a)在半导体基板的主面上形成第1绝缘膜的工序；

(b)在上述第1绝缘膜上形成导电膜的工序；

(c)通过上述导电膜及上述第1绝缘膜向上述主面内离子注入杂 质，形成沟道掺杂区域的工序；

(d)通过对上述导电膜进行构图，形成栅电极的工序；

(e)通过向从上述栅电极露出的部分的上述主面内导入杂质，形成 源极和漏极区的工序，

上述半导体装置的制造方法还具备，

(h)在上述工序(b)和上述工序(c)之间执行，在上述导电 膜上形成第2绝缘膜的工序；以及

(i)在上述工序(c)和上述工序(d)之间执行，对上述第2 绝缘膜进行构图的工序，

在上述工序(c)中，通过上述第2绝缘膜、上述导电膜以及上 述第1绝缘膜，在上述主面内离子注入上述杂质，

在上述工序(d)中，通过将上述工序(i)中被构图的上述第2 绝缘膜作为刻蚀掩模使用的刻蚀，对上述导电膜进行构图。

5.权利要求1～4任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于：

在上述工序(a)中，上述第1绝缘膜以900℃～1100℃用灯氧化 装置形成。

6.权利要求1～4任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于还具备：

(j)在上述工序(a)之前执行，在上述主面内形成凹部的工序； 以及

(k)在上述工序(j)和上述工序(a)之间执行，采用单叶式的 灯氧化装置，通过900℃～1150℃的热氧化法在上述凹部的侧面及底 面上形成热氧化膜的工序。