[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件

权利要求书

1.一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。

2.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，在所述p型杂质和氢原子共存于其中的区域中的氢原子浓度与p型杂质浓度之比为1/10至2/1。

3.根据权利要求2的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，在所述p型杂质和氢原子共存于其中的区域中的氢原子浓度与p型杂质浓度之比为1/5至1.5/1。

4.根据权利要求3的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，在所述p型杂质和氢原子共存于其中的区域中氢原子浓度与p型杂质浓度彼此基本上相等。

5.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，所述p型杂质和氢原子共存于其中的区域的厚度是与所述正电极接触的所述整个p型半导体层的厚度的至少40％。

6.根据权利要求5的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，所述p型杂质和氢原子共存于其中的区域的厚度是与所述正电极接触的所述整个p型半导体层的厚度的至少70％。

7.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，所述n型导电透光材料是选自ITO、TiO₂、ZnO、Bi₂O₃、MgO、ZnAIO、ZnS和SnO₂的至少一种的材料。

8.根据权利要求7的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，所述n型导电透光材料至少包含ITO。

9.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，所述正电极的由所述n型导电透光材料形成的部分的厚度为35nm至10μm。

10.根据权利要求9的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，所述正电极的由所述n型导电透光材料形成的部分的厚度为100nm至1μm。

11.一种灯，包括根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件。