[发明专利]电流编程的有机发光二极管显示器的驱动电路有效
| 申请号: | 200680009549.0 | 申请日: | 2006-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN101164377A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
| 发明(设计)人: | A·内森;R·G·查吉 | 申请(专利权)人: | 伊格尼斯创新有限公司 |
| 主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08;G09G3/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沙捷 |
| 地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电流 编程 有机 发光二极管 显示器 驱动 电路 | ||
技术领域
本发明涉及驱动具有寄生电容的电流线的方法和设备。具体地,本发明涉及驱动电流编程的有机发光二极管(OLED)显示器的方法和设备。
背景技术
平板显示器(FPD)技术的成熟能够提供尺寸较大且成本较低的膝上型监视器,手机和其他便携式设备用小面积/低功率面板,家用电视用HDTV和宽屏幕形式,和用于航空器的“玻璃驾驶舱”的高可靠性日光下可读的显示器。
新涌现的技术,如有机LED(OLED)能够提供高质量的发光式平面显示器(emmisive flat display),其允许消除背光。与LCD比较,OLED能够提供更薄的外观尺寸和几乎完美的视角以及快得多的响应速度。因此,OLED的本征特征在视觉和外观尺寸方面都超过LCD。
有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)的典型阵列结构在图1中示出。显示器100包括以行和列形式排列的像素102的阵列。像素102经选择晶体管104连接到数据线106。晶体管104是薄膜晶体管(TFT)。数据线106由电流源108驱动。连接到数据线106的晶体管104的交叠电容和数据线106自身的线电容导致高寄生电容。
给定像素102的基本OLED结构由透明正极和金属负极之间的一叠有机层组成。有机层包括空穴注入层(hole-iniection),空穴输运层(hole-tansport layer),发光层(emissive layer),和电子输运层(electrontransport layer)。当将适当电压施加在该结构上时,注入的正电荷和负电荷在发光层中结合从而产生光。因此OLED是自发光显示器,从而不象LCD那样需要背光。而且,电荷结合过程引起的时间延迟非常小,因此提供较快的响应时间。
OLED显示器是电流控制的显示设备。而LCD是电压控制的。电流编程为OLED提供了与任何其他部件(如薄膜晶体管(TFT))或OLED自身的特性相独立的电流,并补偿Vt偏移、空间失配和OLED老化。然而,线和连接到该线的选择晶体管产生的寄生电容导致较大的建立时间(settling time)。建立时间是初始线电压和驱动TFT阈值电压的函数。虽然,建立时间可通过预充电得到部分的改善,但这种改善对于中等面积和大面积显示器是不够的。
驱动晶体管和其连接于其上的数据线的寄生电容在图2中示意地示出。具体地,图2示意示出编程周期中电流编程像素202的等效电路,其具有电流源203和晶体管204。电容Cp210和电阻Rp208是寄生元件,而电容Cs206是存储电容器的电容。如果Cs206<<Cp 210,且Rp 208小,则图2所示电路的时间常数(timing constant)或建立时间为:
其中β是晶体管204的电流—电压(I-V)特征中的系数,其由Ids=β(Vgs-Vth)2给出。这里,Ids是漏极—源极电流,Vgs是栅极一源极电压,Vth是阈值电压。
如果电容Cp 210是较大的电容,约40pf,且晶体管204的β值较小,该晶体管是以非晶硅(a-Si)制造的,则τ为毫秒量级。然而,对于大面积显示器,编程周期的时序预算小于100μs。因为OLED的效率已经增加,所以实现最大亮度所要求的电流量非常小;因此,作为电流函数的τ急剧增加。
因此该寄生电容为电流编程的像素带来了高建立时间,从而限制了编程周期的时序预算。这可能由于不完美的建立而引起相当大的误差。为了消除这些误差,因此需要适用于OLED显示器的用于驱动电流编程像素的简单并且快速的解决方案。
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