[实用新型]高压侧驱动器的半导体结构

说明书

技术领域

本实用新型有关一种半导体结构，特别是有关一种高压侧驱动器(high sidedriver)的半导体结构。

背景技术

图1是一种传统的电源供应IC中高压侧驱动器半导体结构剖面图。请参考图1，高压侧驱动器的半导体结构包括形成于一P型基板100上的一高压(HV)接面110，及形成于P型基板100上的一高压导电电容结构120。高压接面包括一N型深阱(NWD)112以及多个P型阱(PW)114。高压导电电容结构120包括一第一金属层122及两个分离的第二金属层124及126。第二金属层124连接至一低电压，例如OV，且第二金属层126连接至一高电压+V，例如500V。重离子掺杂N+阱116形成于这些P型阱114之间，用以通过一连接金属130连接第二金属层126。

基本上，过大的导电材料覆盖在高压接面110上会减低高压接面110的崩溃电压。为了防止高压接面110的崩溃电压被高压导电电容结构120中的导体(金属)减低，传统的高压导电电容结构120是设置于P型基板100上远离高压接面位置的一个区域中，如图1所示。高压导电电容结构120通过连接金属130连接至高压接面110。然而，传统的高压侧驱动器的半导体结构具有下列缺点：

1.需要使用更多芯片空间来分隔地设置高压接面110及高压导电电容结构120在P型基板100上。

2.需要使用额外的连接金属130以连接高压接面110及高压导电电容结构120，因此生产电源供应IC需要更多的成本。

3.位于第一金属层122及第二金属层124及126之间的介电层需要至少1.5um的厚度，使导电电容结构120能够承受500V的高电压。然而，太厚的介电层会产生例如电源供应IC产能下降的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种整合高压接面与导电电容结构的高压侧驱动器半导体结构导电电容结构及其制造方法。高压接面的崩溃电压可以通过形成多个部分分离的N型深阱于高压接面中来提高。因此，高压导电电容结构可以与高压接面整合而不影响高压接面的崩溃电压，借以减少芯片面积及降低电源供应IC的制作成本。

根据本实用新型的目的，提出一种高压侧驱动器的半导体结构，包括一离子掺杂接面及一绝缘层。离子掺杂接面具有多个离子掺杂深阱，且离子掺杂深阱是彼此部分连接。绝缘层形成于离子掺杂接面上。

根据本实用新型的目的，提出一种高压侧驱动器半导体结构的制造方法。该方法包括形成一离子掺杂基板；于离子掺杂基板中形成多个离子掺杂深阱，其中离子掺杂深阱具有于与离子掺杂基板互补的离子掺杂型态，且离子掺杂深阱是彼此部分连接；以及于具有离子掺杂深阱的离子掺杂基板上形成一绝缘层。

为让本实用新型的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例并配合附图进行详细说明如下：

附图说明

图1是一种传统的电源供应IC中高压侧驱动器半导体结构剖面图；

图2是依照本实用新型一较佳实施例的一种电源供应IC的高压侧驱动器半导体结构剖面图；

图3是制造图2的高压侧驱动器半导体结构的制造方法流程图；

图4是使用具有分离图案的光掩模以形成图2的部分连接离子掺杂深阱的离子掺杂工艺过程示意图；以及

图5是依照本实用新型一较佳实施例的一种高压侧驱动器的模拟电场曲线图。

具体实施方式

请参照图2，其是依照本实用新型一较佳实施例的一种电源供应IC的高压侧驱动器半导体结构剖面图。高压侧驱动器半导体结构包括一离子掺杂接面(高压接面)200、一绝缘层210、一第一介电层220以及一导电电容结构230。绝缘层210例如一氧化层，是形成于离子掺杂接面200上。第一介电层220形成于绝缘层210上，导电电容结构230是形成于第一介电层220上。