[发明专利]一种磁控管溅射装置

权利要求书

1.一种磁控管溅射装置，其特征在于：

包括磁控管(1)和电磁线圈(6)两个部分，所述两个装置同轴相对放置；

所述的电磁线圈(6)沿磁控管(1)中心线移动放置在磁控管(1)外侧或基片(5)旁或两者之间的任一位置；调节电磁线圈的电流大小及方向，产生一个与磁控管同轴的辅助磁场。

2.按权利要求1所述的磁控管溅射装置，其特征在于：所述磁控管(1)是平衡态磁控管或非平态磁控管。

3.按权利要求1所述的磁控管溅射装置，其特征在于：所述磁控管(1)是圆形平面磁控溅射靶或矩形平面磁控溅射靶。

4.按权利要求1所述的磁控管溅射装置，其特征在于：所述的电磁线圈(6)是圆形或矩形。

5.按权利要求1所述的磁控管溅射装置，其特征在于：所述的电磁线圈(6)所施加的励磁电流包括直流电流，其方向和大小可以改变，电流大小变化范围在使电磁线圈产生10-500高斯强度；所述的电磁线圈(6)所施加的励磁电流还包括低频交流，低频范围为10-1000Hz，电流大小和频率可以改变，电流大小变化范围在使电磁线圈产生10-500高斯强度内。

6.一种磁控管溅射装置，其特征在于：

包括磁控管(1)和一对电磁线圈(6，7)两个部分，彼此同轴相对放置；

电磁线圈(6)，沿着磁控管(1)中心轴线放置在磁控管外侧；

电磁线圈(7)，沿着磁控管(1)中心轴线放置在基片(5)处，调节电磁线圈(6，7)的电流大小及方向，产生一个与磁控管同轴的辅助磁场。

7.按权利要求6所述的磁控管溅射装置，其特征在于：所述的电磁线圈(6，7)是圆形或矩形。

8.按权利要求6所述的磁控管溅射装置，其特征在于：所述的磁控管(1)前电磁线圈(6)所施加的励磁电流是低频交流，频率为10-1000Hz，电流大小和频率可以调节；基片(5)处电磁线圈(7)所施加的励磁电流是直流或低频交流，直流电流方向和大小可以调节，电流大小变化范围在使电磁线圈产生10-500高斯强度内，低频交流电流大小和频率可以调节，频率为10-1000Hz，电流大小变化范围在使电磁线圈产生10-500高斯强度内。