[发明专利]模封阵列处理的半导体封装构造与其模封阵列处理制程

权利要求书

1.一种模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其主要包含：

一晶片载体，其是具有一上表面、一下表面及复数个在该上表面与该下表面之间的切割边缘；

至少一晶片，其是设置于该晶片载体的上表面并与该晶片载体电性连接；以及

一封胶体，其是实质覆盖该晶片载体的上表面并密封该晶片，其中该封胶体的其中两侧是各形成为一模流限制部，其是较低于该封胶体的中央顶面且对齐至该晶片载体的对应切割边缘。

2.根据权利要求1所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其中所述的该些模流限制部是具有一侧顶面，由该些侧顶面至该晶片载体的上表面的一第一高度是降低而接近至由该封胶体的中央顶面至该晶片的主动面的一第二高度。

3.根据权利要求1所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其中该封装构造是概呈矩形方块体，该两模流限制部是为条状，而该封胶体的其余两侧则不形成有模流限制部。

4.根据权利要求2所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其中所述的该些模流限制部的宽度是不超过该晶片的侧面，且该些模流限制部至该晶片侧面的间隙是大致等同或小于前述第一高度。

5.根据权利要求1所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其另包含有复数个焊线，其是电性连接该晶片与该晶片载体。

6.根据权利要求5所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其中所述的晶片的一主动面是贴附于该晶片载体的上表面，且该晶片的复数个焊垫是对准在该晶片载体的一槽孔内，该些焊线是通过该槽孔电性连接该些焊垫至该晶片载体。

7.根据权利要求5所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其中所述的晶片的一主动面是远离该晶片载体的上表面，并以该些焊线将该晶片在该主动面上的焊垫电性连接至该晶片载体。

8.根据权利要求1所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其另包含有复数个外接端子，其是接合在该晶片载体的下表面。

9.根据权利要求8所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其中所述的该些外接端子是包含焊球。

10.一种半导体封装构造的模封阵列处理制程，其特征在于其至少包含以下步骤：

提供一基板条，其是包含复数个阵列且一体连接的晶片载体，该些晶片载体是具有一上表面与一下表面；

设置复数个晶片于该些晶片载体的上表面；

电性连接该些晶片与该些晶片载体；

以转移模制方式形成一封胶体，其是一体实质覆盖该些晶片载体的上表面以密封该些晶片，其中该封胶体对应在每一晶片载体的其中两侧各形成为一模流限制部，其是较低于该封胶体的中央顶面，以减缓两侧模流速度；以及

切割该封胶体与该基板条，以使每一晶片载体是具有复数个在该上表面与该下表面之间的切割边缘，切割单离后的封胶体的模流限制部是对齐至对应晶片载体的对应切割边缘。

11.根据权利要求10所述的半导体封装构造的模封阵列处理制程，其特征在于其中所述的每一模流限制部是具有一侧顶面，由该些侧顶面至该些晶片载体的上表面的一第一高度是降低而接近至由该封胶体的中央顶面至对应晶片的主动面的一第二高度。

12.根据权利要求10所述的半导体封装构造的模封阵列处理制程，其特征在于其中在切割后的复数个封装构造是概呈矩形方块体，该些模流限制部是为条状，而该些封胶体的其余两侧则不形成有模流限制部。

13.根据权利要求12所述的半导体封装构造的模封阵列处理制程，其特征在于其中所述的该些模流限制部的宽度是不超过对应该些晶片的侧面，且该些模流限制部至对应晶片侧面的间隙是大致等同或小于前述第一高度。

14.根据权利要求10所述的半导体封装构造的模封阵列处理制程，其特征在于其中所述的电性连接步骤中是以复数个焊线电性连接该些晶片与该些晶片载体。

15.根据权利要求14所述的半导体封装构造的模封阵列处理制程，其特征在于其中所述的晶片的一主动面是贴附于该晶片载体的上表面，且该晶片的复数个焊垫是对准在该晶片载体的一槽孔内，该些焊线是通过该槽孔电性连接该些焊垫至该晶片载体。