[发明专利]导电性液态合金及制备方法无效
| 申请号： | 200610010952.7 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101089216A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 冯本政 | 申请（专利权）人： | 冯本政 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 昆明慧翔专利事务所 | 代理人： | 周一康 |
| 地址： | 650031云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 液态 合金 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、导电性液态合金，其成分为Ga，In，Sn或Ga，In，Sn，Ag，其特征是合金成分范围的重量百分比为：Ga50～70％In15～30％Sn7～20％各组分之和为100％；或Ga50～70％In15～30％Sn7～20％Ag1～5％各组分之和为100％。
2、导电性液态合金制备方法，其特征是选择纯度大于99.999％的Ga、In及纯度大于99.99％Sn、Ag为原料，先按配方在保护气氛及特制坩埚中熔炼制备GaIn主合金，再加入Sn，在保护性气氛及特制坩埚中熔炼制备成GaInSn合金；或在制备得的GaInSn合金中，在保护性气氛及特制坩埚中，再加入Ag熔炼制成GaInSnAg合金；导电性液态合金熔点为温度9～15℃，导电率GaInSn合金为(3.19～3.310)×10-2(μΩ-cm)-1，GaInSnAg合金为(3.310～3.325)×10-2(-μΩ-cm)-1。
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