[发明专利]纳米尺寸的金属和合金以及组装包括纳米尺寸的金属和合金的封装的方法有效

专利信息
申请号: 200580033055.1 申请日: 2005-09-30
公开(公告)号: CN101084079A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: F·华;M·加纳 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: B22F1/00 分类号: B22F1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 原绍辉;廖凌玲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 纳米 尺寸 金属 合金 以及 组装 包括 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种金属微粒组合物,其包括:

第一金属,具有在小于或等于20纳米的范围内的微粒尺寸,且其 中金属微粒组合物具有等于或低于300摄氏度的熔化温度;和

第二金属,其中第一金属构成为核,且第二金属构成为壳,

其中,第一金属从铜、银、金、铅和锡中选择,且第二金属从铜、 银、铅和锡中选择。

2.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,其中第一金属呈现为 大于第二金属的量。

3.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,其中第一金属是金, 其中第二金属是锡,且其中锡是第一金属和第二金属的20%。

4.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,进一步包括有机基质, 有机基质包括作为多个微粒的焊料组合物。

5.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,进一步包括有机基质, 有机基质包括作为多个微粒的焊料组合物,且其中有机基质进一步包 括焊料助熔剂。

6.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,其中第一金属具有第 一熔化温度,其中第二金属具有第二熔化温度,且其中第一熔化温度 低于第二熔化温度。

7.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,其中第一金属具有第 一熔化温度,其中第二金属具有第二熔化温度,且其中第二熔化温度 低于第一熔化温度。

8.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,进一步包括第三金属, 其中第三金属构造为外壳,其中第一金属具有第一熔化温度,其中第 三金属具有第三熔化温度,且其中第一熔化温度低于第三熔化温度。

9.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,进一步包括第三金属, 其中第三金属构造为外壳,其中第一金属具有第一熔化温度,其中第 三金属具有第三熔化温度,且其中第三熔化温度低于第一熔化温度。

10.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,且其中核具有大于 壳的体积。

11.根据权利要求1所述的金属微粒组合物,进一步包括第三金 属,其中第二金属构造为邻接核的第一壳,且其中第三金属构造为邻 接第一壳的第二壳。

12.一种回流处理过程,其包括:

回流包括第一金属和第二金属的金属微粒组合物,第一金属具有 在小于或等于20纳米的范围内的微粒尺寸,其中第一金属构成为核, 且第二金属构成为壳,

其中,第一金属从铜、银、金、铅和锡中选择,且第二金属从铜、 银、铅和锡中选择。

13.根据权利要求12所述的回流处理过程,其中回流在条件下进 行以便达到已回流的状态,且其中在已回流的状态的金属微粒组合物 具有在小于或等于20微米范围内的颗粒尺寸。

14.根据权利要求12所述的回流处理过程,其中回流具有低于 400摄氏度的回流温度。

15.根据权利要求12所述的回流处理过程,其中回流靠着从微电 子管芯、第二级安装基片、第一级板和散热器中选择的至少一个结构 发生。

16.一种组装微电子器件封装的方法,其包括:

在管芯上形成金属微粒组合物前体,其中金属微粒组合物包括第 一金属和第二金属,第一金属具有在小于或等于20纳米的范围内的微 粒尺寸,第一金属构成为核,且第二金属构成为壳,且金属微粒组合 物具有等于或低于400摄氏度的熔化温度,其中,第一金属从铜、银、 金、铅和锡中选择,且第二金属从铜、银、铅和锡中选择;和

将管芯联接到安装基片和散热器之一。

17.根据权利要求16所述的组装微电子器件封装的方法,该方法 进一步包括:

从联接管芯前回流、在联接管芯期间回流、在联接管芯后回流和 它们的组合中选择的回流来回流金属微粒前体。

18.根据权利要求16所述的组装微电子器件封装的方法,该方法 进一步包括:

将集成散热器连接到管芯。

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