[其他]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、制造半导体集成电路的一种方法，它包括下列工艺过程：

在另一种导电类型的半导体衬底表面的一个区域（此处将要制做一个元件）上形成一种导电类型埋层，以及在所述埋层上形成另一种导电类型的集电区埋层，同时在所述埋层周围的区域上形成另一种导电类型的双隔离扩散区的下扩散层的工艺过程：

在所述衬底表面形成一种导电类型的外延层，并在形成所述外延层的同时加热扩散所述埋层、集电区埋层和下扩散层的工艺过程;

从所述外延层的表面注入另一种导电类型的杂质离子以形成集电区的工艺过程;

加热所述衬底，再向所述外延层中扩散所述埋层，下扩散层和集电极埋层以使下扩散层的厚度大于所述外延层厚度的一半，并在所述加热过程中从外延层的表面扩散所述集电区以使其延伸到所述集电极埋层的工艺过程;

把一种导电类型的杂质离子注入所述集电区的表面，然后进行扩散形成基区的工艺过程;

从上述外延层的表面扩散另一种导电类型的双隔离扩散区的上扩散层和另一种导电类型的集电极引线区，使之分别延伸到所述下扩散层和所述集电区埋层，并使所述上扩散层在所述外延层表面上占据的区域小于在所述半导体衬底上占据的区域的工艺过程;以及

在所述基区表面上扩散另一种导电类型的杂质以形成一个发射区的工艺过程。

所述扩散得到的上扩散层的厚度小于所述外延层厚度的一半。

2、如权利要求1所述的制造半导体集成电路的一种方法，其中，所述集电极引线区和所述上扩散层同时扩散形成。

3、制造半导体集成电路的一种方法，它包括下列工艺过程：

在另一种导电类型的半导体衬底表面的第一区域和第二区域（在这些区域将要制做晶体管）上形成一种导电类型的埋层，以及在第一区域中的埋层上形成另一种导电类型的集电区埋层，同时又在所述埋层周围的一个区域上形成另一种导电类型的双隔离扩散区的下扩散层的工艺过程;

在所述衬底的表面形成一种导电类型的外延层，并在形成所述外延层的同时加热扩散所述埋层、集电区埋层和下扩散层的工艺过程;

从所述外延层的表面向所述第一区域注入另一种导电类型杂质离子，以在与集电区埋层相对应的地方形成集电区的工艺过程;

加热所述衬底，再向所述外延层中扩散所述埋层、下扩层和集电区埋层，以使下扩散层的厚度大于所述外延层厚度的一半，并在所述加热过程中从外延层的表面扩散所述集电区使之延伸到所述集电区埋层的工艺过程;

把一种导电类型的杂质离子从表面注入所述第一区域中的所述集电区和第二区域，然后进行扩散以形成第一晶体管的基区和第二晶体管的集电区的工艺过程;

从所述外延层表面扩散形成另一种导电类型的双隔离扩散区的上扩散层和另一种导电类型的集电极引线区，使之分别延伸到所述下扩散层和所述集电区埋层，并使所述上扩散层在所述外延层表面上占据的区域小于在所述半导体衬底上占据的区域的工艺过程;

在所述第一区域的基区表面及第二区域的表面上扩散另一种导电类型的杂质，以分别形成第一晶体管的发射区和第二晶体管的基区的工艺过程;以及

在所述第二区域的所述基区的表面上形成第二晶体管的发射区的工艺过程;

所述上扩散层的厚度小于所述外延层厚度的一半。

4、制造半导体集成电路的一种方法，它包括下列工艺过程：