[发明专利]高电源抑制比的单端供电前置放大器无效
| 申请号: | 01111258.1 | 申请日: | 1997-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN1377029A | 公开(公告)日: | 2002-10-30 |
| 发明(设计)人: | M·纳耶比;M·穆斯巴;小路法男 | 申请(专利权)人: | 索尼电子有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/02 | 分类号: | G11B5/02;H03F1/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈景峻 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电源 抑制 供电 前置放大器 | ||
1.一种放大器电路,用于放大磁阻元件从磁介质中读取的数据,采用了:
a.一个磁介质;
b.一个磁阻元件,产生对应于磁介质上存储的信息的信号;和
c.一个单端电源电压源,
放大器电路连接到单端电源电压源和磁阻元件,同时偏置和放大磁阻元件产生的信号,该电路包括:
i.一个第一电路元件,设置放大器电路的增益并提供对应于磁阻元件所产生的信号的输出信号;
ii.连接到单端电源电压的参考电压;
iii.第一偏置电路,对磁阻元件提供第一偏置电流,该第一偏置电路被输出信号和参考电压之间的第一电压差控制;
iv.第二偏置电路,对磁阻元件提供第二偏置电流,该第二偏置电路被第一电压电平和参考电压之间的第二电压差控制;以及
v.第一晶体管,在接收电路和第一电路元件之间连接,控制第一电路元件的输出信号产生,这里的第一电路元件、晶体管和第二偏置电路都参考于单端电源电压,提供增加的电源抑制比。
2.权利要求1所述的放大器电路,其特征在于第一电路元件是一个电阻。
3.权利要求2所述的放大器电路,其特征在于第一偏置电路包括一个第一跨导放大器和一个第一电容。
4.权利要求3所述的放大器电路,其特征在于第二偏置电路包括一个第二跨导放大器和一个第二电容,并且其中的第二跨导放大器在第二电容上建立第二电荷,第二电荷用于控制第一晶体管的操作。
5.权利要求4所述的放大器电路,其特征在于还包括一个第二电阻,在第一晶体管和磁阻元件之间连接,其中第一和第二偏置电流经过第二电阻提供给磁阻元件。
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